強誘電体及び記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深澤潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-311807
公開番号（公開出願番号）：特開2010-135661
出願日： 2008年12月08日
公開日（公表日）： 2010年06月17日
要約：

【課題】数nm程度のセルサイズを実現可能な強誘電体及び記憶装置を提供すること。【解決手段】強誘電体2は、分子内で正に帯電された水素原子群(第一原子群)15と負に帯電された酸素原子群(第二原子群)16とが結合された水分子(極性分子)17同士が、さらに水素原子群15又は酸素原子群16が一端2a又は他端2bに配されるよう一方向に交互に配列された5本の一次元鎖13A〜13Eを有するアイスナノチューブ11Aと、アイスナノチューブ11Aを内包するカーボンナノチューブ(ナノチューブ)11Bと、を備えている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

分子内で正に帯電された第一原子群と負に帯電された第二原子群とが結合された極性分子同士が、さらに前記第一原子群又は前記第二原子群が一端又は他端に配されるよう一方向に交互に配列された少なくとも一つの一次元鎖と、前記一次元鎖を内包するナノチューブと、を備えていることを特徴とする強誘電体。

IPC (8件)：

H01L 21/824 , H01L 27/105 , B82B 1/00 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 29/06 , H01L 21/314 , C01B 31/02

FI (6件)：

H01L27/10 444A , B82B1/00 , H01L29/78 371 , H01L29/06 601N , H01L21/314 A , C01B31/02 101F

Fターム (17件)：

4G146AA11 , 4G146AA13 , 4G146AA15 , 4G146AA17 , 4G146AD21 , 4G146AD28 , 5F058BB01 , 5F058BB10 , 5F058BC01 , 5F058BD03 , 5F058BF17 , 5F058BJ01 , 5F083FR06 , 5F083GA09 , 5F083JA60 , 5F101BA62 , 5F101BD02

引用特許：

出願人引用 (1件)

不揮発性メモリ素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-116323 出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター

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