特許
J-GLOBAL ID：200903010550487226
不揮発性メモリ素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人三枝国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-116323
公開番号（公開出願番号）：特開2008-277827
出願日： 2008年04月25日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：
【課題】不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】不揮発性メモリ素子は、基板11上に形成された第1電極12及び第2電極17と、第1電極12及び2電極17の間に形成された導電性有機物層13、16と、導電性有機物層13、16間に形成され、非結晶性のバリア15Bに囲まれた複数のナノ結晶15Aを含むナノ結晶層15とを備える単位セルと、単位セルが少なくとも3つのレベルの電流のうち、いずれか1つの電流を出力するように、第1電極12及び第2電極17間に、所定の入力電圧を印加すして単位セルを駆動するように構成された駆動手段とを備える。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
基板上に形成された第1電極及び第2電極と、
前記第1電極及び前記2電極の間に形成された導電性有機物層と、
前記導電性有機物層内に形成され、非結晶性のバリアに囲まれた複数のナノ結晶を含むナノ結晶層とを備える単位セル、及び
該単位セルが少なくとも3つのレベルの電流のうち、いずれか1つを出力するように、前記第1電極及び前記第2電極間に所定の入力電圧を印加して、前記単位セルを駆動する駆動手段を備えることを特徴とする不揮発性メモリ素子。
IPC (5件)：
H01L 27/10
, H01L 27/28
, H01L 51/05
, G11C 13/00
, H01L 51/30
H01L27/10 451
, H01L27/10 449
, G11C13/00 A
, H01L29/28 100B
, H01L29/28 220A
5F083FZ10
, 5F083GA01
, 5F083GA05
, 5F083GA10
, 5F083GA27
, 5F083HA02
, 5F083HA06
, 5F083JA02
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083PR12
, 5F083PR21
, 5F083PR23
, 5F083PR33
, 5F083ZA21
