特許
J-GLOBAL ID：201003055344455509

半導体装置の製造方法

発明者：
田村 直義

田村 直義 について


出願人/特許権者：
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2007000514
公開番号（公開出願番号）：WO2008-139509
出願日： 2007年05月14日
公開日（公表日）： 2008年11月20日
要約：
チャネルに有効に応力を印加でき、製造工程が安定な半導体装置の製造方法を提供する。 半導体装置の製造方法は、(a)シリコン基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、(b)ゲート電極およびゲート絶縁膜の側壁上に、エッチング特性の異なる絶縁膜と犠牲膜とを含む積層を形成し、異方性エッチングを行なってサイドウォールスペーサを形成する工程と、(c)サイドウォールスペーサの両側のシリコン基板に不純物を注入する工程と、(d)シリコン基板をエッチングすると共に、犠牲膜をエッチングし、シリコン基板にリセスを形成すると共に、サイドウォールスペーサの断面を略L字状に加工する工程と、(e)リセスにSi-Geを含む結晶をエピタキシャルに成長する工程と、(f)サイドウォールスペーサを覆って応力を内蔵した絶縁膜を堆積する工程と、を含む。
請求項（抜粋）：
(a)シリコン基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、 (b)前記ゲート電極およびゲート絶縁膜の側壁上に、エッチング特性の異なる絶縁膜と犠牲膜とを含む積層を形成し、異方性エッチングを行なってサイドウォールスペーサを形成する工程と、 (c)前記サイドウォールスペーサの両側のシリコン基板に不純物を注入する工程と、 (d)前記シリコン基板をエッチングすると共に、前記サイドウォールスペーサの積層の一部をエッチングし、前記シリコン基板にリセスを形成すると共に、前記サイドウォールスペーサの断面を略L字状に加工する工程と、 (e)前記リセスにSi-Geを含む結晶をエピタキシャルに成長する工程と、 (f)前記サイドウォールスペーサを覆って応力を内蔵した絶縁膜を堆積する工程と、 を含む半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092
FI (3件)：
H01L29/78 301S ,  H01L27/08 321E ,  H01L27/08 321C
Fターム (80件)：
5F048AA08 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC01 ,  5F048BC05 ,  5F048BC15 ,  5F048BC18 ,  5F048BC19 ,  5F048BD01 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF12 ,  5F048BF16 ,  5F048BG01 ,  5F048BG02 ,  5F048BG03 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F140AA01 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF56 ,  5F140BG09 ,  5F140BG10 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG32 ,  5F140BG33 ,  5F140BG34 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG54 ,  5F140BG56 ,  5F140BH06 ,  5F140BH14 ,  5F140BH27 ,  5F140BH33 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK09 ,  5F140BK13 ,  5F140BK14 ,  5F140BK18 ,  5F140BK21 ,  5F140BK23 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC01 ,  5F140CC02 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC10 ,  5F140CC13 ,  5F140CC14 ,  5F140CC15 ,  5F140CF04
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-342667   出願人：株式会社日立製作所
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-076182   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-191405   出願人：富士通株式会社

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