特許
J-GLOBAL ID:201003056259130176
CoWPおよび多孔質誘電体用湿式洗浄組成物
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (6件):
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 永坂 友康
, 小林 良博
, 蛯谷 厚志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-286368
公開番号(公開出願番号):特開2010-147476
出願日: 2009年12月17日
公開日(公表日): 2010年07月01日
要約:
【課題】CoWPが露出したパターン化ウェハを、CoWPの完全性を維持したままで洗浄することのできる優れた湿式洗浄方法を提供すること。【解決手段】本発明は、CoWPフィーチャーを有する半導体基板から発生するエッチング後残渣および灰化後残渣を除去するための湿式洗浄処方物であって、脱イオン水;有機酸;アミンおよび/または水酸化4級アンモニウム;からなり、前記処方物はCoWPフィーチャーと適合性があり、かつ、(a)アミンおよび/または水酸化4級アンモニウムの有機酸に対するモル比によってpHが7〜14の値をとる;あるいは、(b)前記処方物は腐食防止剤を含む、のいずれかであることを特徴とする。前記処方物を使用した方法についても記載する。【選択図】なし
請求項(抜粋):
CoWPフィーチャーを有する半導体基板からのエッチ後残渣および灰化後残渣の除去のための非フッ化物湿式洗浄処方物であって、前記処方物は本質的に
脱イオン水;
有機酸;
アミンおよび/または水酸化4級アンモニウム;
任意に、1以上の腐食防止剤;非水性有機極性溶媒および脱酸素剤;
からなり、
前記処方物はCoWPフィーチャーと適合性があり、かつ、
(a)アミンおよび/または水酸化4級アンモニウムの有機酸に対するモル比によってpHが7〜14の値をとる;あるいは、
(b)前記処方物は腐食防止剤を含む、
のいずれかであることを特徴とする、非フッ化物湿式洗浄処方物。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (23件):
5F157AA09
, 5F157AA32
, 5F157AA35
, 5F157AA36
, 5F157AA63
, 5F157AA64
, 5F157AA93
, 5F157AA94
, 5F157BB01
, 5F157BC03
, 5F157BC07
, 5F157BC54
, 5F157BD09
, 5F157BE12
, 5F157BF12
, 5F157BF22
, 5F157BF38
, 5F157BF39
, 5F157CB03
, 5F157CB28
, 5F157DA21
, 5F157DB03
, 5F157DB57
引用特許: