特許
J-GLOBAL ID：201003056428214678

エピタキシャル成長用基板

発明者：
ロベルト・ドヴィリニスキ

ロベルト・ドヴィリニスキ について

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ロマン・ドラジニスキ

ロマン・ドラジニスキ について

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イエジ・ガルチニスキ

イエジ・ガルチニスキ について

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レシェック・ペ・シェシュプトスキ

レシェック・ペ・シェシュプトスキ について

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神原 康雄

神原 康雄 について


出願人/特許権者：
アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン

アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン について

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日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 鮫島 睦 ,  田村 恭生 ,  言上 惠一 ,  山尾 憲人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-105636
公開番号（公開出願番号）：特開2010-222247
出願日： 2010年04月30日
公開日（公表日）： 2010年10月07日
要約：
【課題】多種のオプトエレクトロニクスデバイスの製造工程におけるエピタキシャル成長用基板として使用される低転位の窒化物バルク単結晶およびその製造方法を提供する。【解決手段】窒化ガリウムの六方格子のc軸に垂直な面の断面積が100mm2以上、結晶の厚さが1.0μm以上、C面の表面転位密度は106/cm2以下であり、またさらに加工可能な表面積が好ましくは100mm2以上である非極性のA面あるいはM面プレートを少なくとも1つ作るのに十分な大きさがある窒化物バルク単結晶であって、その製法は、第一基板3を銀からなるマスク層4により部分的に覆うことにより横成長にさせやすい表面6を形成したあと、XIII族元素含有フィードストックをアンモニア含有超臨界溶媒に溶解させ、前記表面6上から横方向に成長が進行し、横方向成長の結果として、前記マスク層4上にガリウム含有窒化物のバルク単結晶7が形成される。【選択図】図16
請求項（抜粋）：
窒化ガリウムの単結晶であって、窒化ガリウム六方格子のc軸垂直面における断面積が100mm2より大きく、厚さが1.0μmより厚く、C面の表面転位密度が106/cm2未満であり、かつ少なくとも100mm2の表面積を有する更に加工可能な非極性A面またはM面プレートを少なくとも1つ作るのに十分な体積を有することを特徴とする窒化物のバルク単結晶。
IPC (2件)：
C30B 29/38 ,  C30B 7/10
FI (2件)：
C30B29/38 D ,  C30B7/10
Fターム (28件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB06 ,  4G077AB08 ,  4G077AB09 ,  4G077BE15 ,  4G077CB04 ,  4G077EA02 ,  4G077EA03 ,  4G077EB01 ,  4G077EC08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA12 ,  4G077KA03 ,  4G077KA07 ,  4G077KA09 ,  5F173AA08 ,  5F173AF25 ,  5F173AG12 ,  5F173AG17 ,  5F173AG20 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AR99
引用特許：
出願人引用 (10件)
  • 窒化ガリウム系化合物半導体のバルク結晶製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-209045   出願人：シャープ株式会社
  • 特許第4097601号
  • 特許第4113835号
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審査官引用 (10件)
  • 窒化ガリウム系化合物半導体のバルク結晶製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-209045   出願人：シャープ株式会社
  • 特許第4097601号
  • 特許第4113835号
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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