特許
J-GLOBAL ID：201003056721760849
縦型半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
磯野 道造
, 多田 悦夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-319572
公開番号（公開出願番号）：特開2010-147065
出願日： 2008年12月16日
公開日（公表日）： 2010年07月01日
要約：
【課題】素子終端領域の占有面積を小さくして阻止特性の安定性を確保でき、必要に応じて、順方向/逆方向の電圧阻止能力を実現できる縦型半導体装置を提供する。【解決手段】縦型半導体装置は、IGBTの素子機能を実現する素子活性領域100と、素子活性領域100を囲む素子終端領域200とによって構成されている。素子終端領域200には、基板表面に略垂直に、素子活性領域100を取り囲む閉ループ状にトレンチ700が形成されている。トレンチ700は、その側壁に形成されたシリコン酸化膜710と、酸化膜間の隙間を充填する多結晶シリコン720とによって形成されている。さらに、素子終端領域200は、トレンチ700と所定距離を隔てたp-型低不純物濃度層500で終端されている。これによって、素子終端領域200の占有面積を大幅に低減するトレンチ構造において、薄膜の低応力な酸化膜を形成して高耐圧化を図ることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一方導電型の半導体層に設けられた素子活性領域と、その素子活性領域を囲んで形成される素子終端領域とを備えた縦型半導体装置であって、
前記素子終端領域は、
前記半導体層の主面に選択的に形成された他方導電型の低不純物濃度層と、
前記低不純物濃度層と所定の距離を隔てて前記主面に略垂直に形成され、前記素子活性領域を閉ループ状に囲むトレンチとを有し、
前記トレンチの内側の側面と底面は、
隙間部分を設けて形成される酸化膜と、その隙間部分を充填する多結晶シリコンとを備えていることを特徴とする縦型半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/739
, H01L 29/78
, H01L 29/06
, H01L 21/28
, H01L 29/41
H01L29/78 655F
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 652P
, H01L21/28 301A
, H01L29/44 Y
4M104AA01
, 4M104BB01
, 4M104BB02
, 4M104BB05
, 4M104BB08
, 4M104BB14
, 4M104CC00
, 4M104CC01
, 4M104FF10
, 4M104GG02
, 4M104GG06
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
