特許
J-GLOBAL ID：200903047040496671
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-306278
公開番号（公開出願番号）：特開2006-120807
出願日： 2004年10月21日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：
【課題】外部電荷の影響を排除し、占有面積が小さく、安定な高い耐圧で、信頼性の高い耐圧構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】n半導体基板100にトレンチ3を形成し、このトレンチ3内を絶縁膜4で充填し、この絶縁膜4にpウェル領域6より溝が深い凹部5を形成し、フィールドプレート電極13をこの凹部5内に形成することで、外部電荷15の影響を排除し、占有面積の小さく、安定な高い耐圧を確保できる耐圧構造を有する半導体装置とすることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1半導体層の第1主面の表面層に選択的に形成される第2導電型の第2半導体層と、該第2半導体層と接して前記第1半導体層の第1主面から前記第1半導体層の内部へ向かって形成されるトレンチと、該トレンチ内に形成される絶縁膜と、該絶縁膜に形成される凹部と、前記絶縁膜の一部表面に形成され、且つ、前記凹部を充填して形成される導電膜と、前記第2半導体層上に形成され、前記導電膜と接する第1主電極と、前記第1半導体層の第2主面に形成される第2主電極とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/06
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L29/78 652P
, H01L29/78 658F
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (11件)
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