特許
J-GLOBAL ID：201003056723240532
複数の発光セルを有する発光ダイオード及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-270778
公開番号（公開出願番号）：特開2010-147462
出願日： 2009年11月27日
公開日（公表日）： 2010年07月01日
要約：
【課題】外部からの湿気浸透又は外部衝撃による配線の断線、配線抵抗の増加又は各発光セルの性能低下を防止することができる発光ダイオード及びそれを製造する方法を提供する。【解決手段】同一基板上に互いに分離して配置し、下部半導体層と、前記下部半導体層の一部領域上に位置する上部半導体層と、前記下部半導体層と前記上部半導体層との間に配置された活性層とをそれぞれ含む複数の発光セルと、前記発光セルの全面を覆い、前記下部半導体層の他の領域上及び前記各上部半導体層上にそれぞれ形成された開口部を有する第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に形成され、前記開口部を介して隣接した発光セルを電気的に接続する配線と、前記第1の絶縁層及び前記配線を覆う第2の絶縁層とを含み、前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層は同一の材質で形成され、前記第1の絶縁層は前記第2の絶縁層に比べて厚い発光ダイオードを構成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
同一基板上に互いに分離して配置し、下部半導体層と、前記下部半導体層の一部領域上に位置する上部半導体層と、前記下部半導体層と前記上部半導体層との間に配置された活性層と、をそれぞれ含む複数の発光セルと、
前記発光セルの全面を覆い、前記下部半導体層の他の領域上及び前記上部半導体層上にそれぞれ形成された開口部を有する第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上に形成され、前記開口部を介して隣接する発光セルを電気的に接続する配線と、
前記第1の絶縁層及び前記配線を覆う第2の絶縁層と、を含み、
前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層は同一の材質で形成され、
前記第1の絶縁層は前記第2の絶縁層に比べて厚いことを特徴とする発光ダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 210
, H01L33/00 410
5F041AA11
, 5F041AA25
, 5F041AA43
, 5F041AA44
, 5F041CA04
, 5F041CA40
, 5F041CA77
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CA98
, 5F041CB36
