特許
J-GLOBAL ID：200903092486633406
半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、および半導体発光装置の製造方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
中島 司朗
, 松村 修治
, 小林 国人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-519006
公開番号（公開出願番号）：特表2007-511065
出願日： 2004年11月01日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：
【課題】放熱性と光取出し効率とが改善されると共に、メタルワイヤーの影が被照射面に生じにくい半導体発光装置等を提供すること。【解決手段】LEDベアチップ(半導体発光装置)2は、p-GaN層12、InGaN/GaN多重量子井戸発光層14、n-GaN層16からなる多層エピタキシャル構造6を有している。p-GaN層16にはp側電極18が、n-GaN層16にはn側電極20が形成されている。p側電極18側にあって、多層エピタキシャル構造6を支持すると共に、前記発光層14からの熱を伝導するAuメッキ層4が設けられている。Auメッキ層4は、ポリイミド部材10を介して、電気的に2分割されている。分割された一方のAuメッキ層4Aは、p側電極18と接続されアノード給電端子として構成されており、他方のAuメッキ層4Kは、配線22を介して接続されカソード給電端子として構成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の導電型層、第2の導電型層、および前記第1の導電型層と前記第2の導電型層の間に在る発光層を有し、前記第2の導電型層の前記発光層とは反対側の主面が、光の取り出し面である多層エピタキシャル構造と、
前記第1の導電型層の前記発光層とは反対側の主面上に形成されている第1の電極と、
前記第2の導電型層の前記発光層とは反対側の主面上に形成されている第2の電極と、
金属層の少なくとも一部で形成され、前記第1の電極と電気的に接続されている第1の給電端子と、
前記第2の導電型層の前記主面と平行に当該第2の電極から引き出された導電体を介して前記第2の電極と電気的に接続されている第2の給電端子と、
を備え、
前記多層エピタキシャル構造は、前記第2の導電型層よりも前記第1の導電型層の方が前記金属層に近接するように当該金属層上に形成されており、前記金属層は、前記多層エピタキシャル構造を支持すると共に、前記発光層で発生した熱を伝導する半導体発光装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
5F041AA14
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA85
, 5F041DA07
, 5F041DA13
, 5F041DA18
, 5F041DA20
, 5F041DA29
, 5F041DA45
, 5F041EE11
, 5F041EE23
, 5F041EE25
, 5F041FF11
