特許

J-GLOBAL ID：201003056752838790

超電導体及びその製造方法

発明者： 安藤 陽一 ,  瀬川 耕司
出願人/特許権者： 国立大学法人大阪大学
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-243148
公開番号（公開出願番号）：特開2010-070441
出願日： 2008年09月22日
公開日（公表日）： 2010年04月02日
要約：

【課題】従来の超伝導体と比して、安価で、且つ供給量が安定している構成元素のみで構成される超伝導体を実現する。【解決手段】超伝導体は、8族の元素、15族の元素、及び16族の元素のみを含む。15族の元素及び16族の元素の合計モル数が、8族の元素のモル数と等しくなる組成比となるように混合を行うことが好ましい。更には、上記混合工程では、8族の元素:15族の元素:16族の元素のモル比が3:2:1〜5:4:1の範囲内となるように混合を行うことがより好ましく、更に好ましくは10:6:4〜10:7:3の範囲内であり、最も好ましくは4:3:1である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

8族の元素、15族の元素、及び16族の元素のみを含むことを特徴とする超伝導体。

IPC (2件)：

C01G 1/00 ,  C01G 49/00

FI (2件)：

C01G1/00 S ,  C01G49/00 A

Fターム (18件)：

4G002AA06 ,  4G002AB01 ,  4G002AE05 ,  4G047JA02 ,  4G047JC11 ,  4G047KB02 ,  4G047KB04 ,  4G047KB12 ,  4G047KB13 ,  4G047KB17 ,  4G047LB03 ,  5G321AA98 ,  5G321BA01 ,  5G321BA03 ,  5G321CA99 ,  5G321DA99 ,  5G321DB02 ,  5G321DB99