特許
J-GLOBAL ID:201003057232286260

ジョセフソンスターエミッタ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山崎 高明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-186590
公開番号(公開出願番号):特開2010-027812
出願日: 2008年07月17日
公開日(公表日): 2010年02月04日
要約:
【課題】THz帯において、数mW程度の連続高出力発振が可能で、種々の計測や分析に使用することができるジョセフソン素子、すなわち、ジョセフソンスターエミッタを提供する。【解決手段】ジョセフソン素子において、メサ1を、半導体、絶縁体、または、完全導体からなる基板2上に構築して構成する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ジョセフソン素子であって、 メサは、半導体、または、絶縁体からなる基板上に構築されて構成されている ことを特徴とするジョセフソンスターエミッタ。
IPC (1件):
H01L 39/22
FI (1件):
H01L39/22 D
Fターム (3件):
4M113AA01 ,  4M113AC11 ,  4M113CA35
引用特許:
審査官引用 (2件)

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