特許
J-GLOBAL ID：201003057432149399
半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
原田 洋平
, 森本 義弘
, 笹原 敏司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-044948
公開番号（公開出願番号）：特開2010-199447
出願日： 2009年02月27日
公開日（公表日）： 2010年09月09日
要約：
【課題】降伏電圧の低電圧化、逆方向漏れ電流の低減および動作抵抗の低減を同時に実現できる半導体装置を提供する。【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、量子井戸層(SiGe層3)が前記量子井戸層よりもバンドギャップが広くかつ比誘電率が小さいバリア層(シリコン層4)で挟まれた積層体2を有し、第1の不純物領域(p+型の不純物領域5)と前記第1の不純物領域に隣接する前記第1の不純物領域とは導電型が異なる第2の不純物領域(n+型の不純物領域6)が、最上層の前記バリア層の表面から最下層の前記バリア層まで到達するように形成されており、かつ最上層の前記バリア層の表面上に前記第1の不純物領域と前記第2の不純物領域の各々に電気的に接続する電極8、9が設けられていることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
単一の量子井戸層または複数の量子井戸層のそれぞれが前記量子井戸層よりもバンドギャップが広くかつ比誘電率が小さいバリア層で挟まれた積層体を有し、第1の不純物領域と前記第1の不純物領域に隣接する前記第1の不純物領域とは導電型が異なる第2の不純物領域が、最上層の前記バリア層の表面から最下層の前記バリア層まで到達するように形成されており、かつ最上層の前記バリア層の表面上に前記第1の不純物領域と前記第2の不純物領域の各々に電気的に接続する電極が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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