特許

J-GLOBAL ID：201003057767915720

薄膜導電膜の形成方法

発明者： 村上 泰 ,  清水 航 ,  西江 健治 ,  下平 正浩 ,  竹田 亮
出願人/特許権者： 国立大学法人信州大学 ,  コーア株式会社
代理人 (1件)： 丸山 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-100066
公開番号（公開出願番号）：特開2010-248036
出願日： 2009年04月16日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：

【課題】表面状態が平滑かつ均一であり、導電層を構成するルテニウムの使用量を抑制可能な薄膜導電膜の形成方法を提供する。【解決手段】絶縁性の基体5に向けて第1の金属材料を含有する第1の前駆体溶液を噴霧することによって、その第1の金属材料の酸化膜からなるバッファ層10を形成する。そして、このように形成されたバッファ層10に対し、ルテニウムを含有する第2の前駆体溶液を噴霧することにより、薄膜の酸化ルテニウム導電膜11を形成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

絶縁性の基体に向けて第1の金属材料を含有する第1の前駆体溶液を噴霧することによって前記第1の金属材料の酸化膜からなるバッファ層を形成し、そのバッファ層にルテニウムを含有する第2の前駆体溶液を噴霧することによって薄膜の酸化ルテニウム導電膜を形成することを特徴とする薄膜導電膜の形成方法。

IPC (2件)：

C03C 17/34 ,  H01B 13/00

FI (2件)：

C03C17/34 Z ,  H01B13/00 503B

Fターム (9件)：

4G059AA08 ,  4G059AC11 ,  4G059AC14 ,  4G059GA01 ,  4G059GA04 ,  4G059GA12 ,  5G323BA04 ,  5G323BB02 ,  5G323BC01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ルテニウム膜および酸化ルテニウム膜、ならびにその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-375771   出願人：ジェイエスアール株式会社
• スイッチング素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-318432   出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ