特許
J-GLOBAL ID：201003058405302181

緊密なピッチのコンタクトを含む半導体構造体、ならびにその形成方法

発明者：
トラン,ルアン シー.

トラン,ルアン シー. について


出願人/特許権者：
マイクロン テクノロジー, インク.

マイクロン テクノロジー, インク. について


代理人 (2件)： 野村 泰久 ,  大菅 義之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-520078
公開番号（公開出願番号）：特表2010-536176
出願日： 2008年07月24日
公開日（公表日）： 2010年11月25日
要約：
サブリソグラフィの寸法を有するパターンを画定するための多様な技術を使用して、活性領域のフィーチャと位置合わせされた緊密なピッチのコンタクトを組み込む半導体構造体を製造する方法、ならびに自己整合の緊密なピッチのコンタクトおよび導電線を同時に製造する方法。活性領域のフィーチャと位置合わせされた緊密なピッチのコンタクト、ならびに任意的には位置合わせされた導電線を有する半導体構造体もまた、緊密なピッチのコンタクトホールならびに導電線用の位置合わせされたトレンチを備えた半導体構造体と同様に開示される。
請求項（抜粋）：
複数の緊密なピッチの導電コンタクトの内の1つの導電コンタクトと共に各々が一体的に形成された複数の緊密なピッチの導電線を含む、半導体構造体。
IPC (3件)：
H01L 21/321 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L21/88 D ,  H01L21/302 105A ,  H01L21/90 C
Fターム (48件)：
5F004AA09 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB06 ,  5F004EA02 ,  5F004EA06 ,  5F004EB01 ,  5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR15 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033VV16 ,  5F033WW01 ,  5F033XX03
引用特許：
審査官引用 (4件)
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