特許
J-GLOBAL ID：200903001419701140

半導体装置及びその製造方法

発明者：
栄森 貴尚

栄森 貴尚 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-076200
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270555
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 半導体装置で高アスペクト比のコンタクトホールを確実に形成する。【解決手段】 半導体基板1の上に、基板に隣接する部分では不純物濃度が高くてエッチングレートが高い層間絶縁膜(SiOz)2を、基板から離れた部分では不純物濃度が低くてエッチングレートが低い層間絶縁膜3を形成し、これら両層間絶縁膜を貫くコンタクトホール4を異方性エッチングで開孔し、続いて等方性エッチングでコンタクトホールの下部5を拡大して、コンタクトを形成する。
請求項（抜粋）：
半導体下地層と、この半導体下地層の上に形成されエッチングレートの異なる複数の層から構成された層間絶縁膜と、この層間絶縁膜に設けられた開孔に形成され上記半導体下地層に至るコンタクトとを備え、上記コンタクトが、上記層間絶縁膜のうち上記半導体下地層に隣接した部分で径方向に拡大されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (3件)：
H01L 21/90 C ,  H01L 21/316 M ,  H01L 27/10 621 Z
引用特許：
審査官引用 (7件)
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