特許
J-GLOBAL ID：201003058689590777
炭化珪素単結晶の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
中島 淳
, 加藤 和詳
, 西元 勝一
, 福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-263565
公開番号（公開出願番号）：特開2010-090013
出願日： 2008年10月10日
公開日（公表日）： 2010年04月22日
要約：
【課題】マイクロパイプの発生を抑制できる上に、更に昇華用原料として用いる炭化珪素と異なる多形を有すると共に、他種類の多形の炭化珪素の混入の少ない炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】反応容器10内の第一位置に第一の炭化珪素を含む昇華用原料40を収容し、第二位置に、第一の炭化珪素よりも昇華温度が高く且つ第一の炭化珪素と異なる多形の第二の炭化珪素単結晶からなる種結晶50を配置した状態で、下式(1)を満たすように反応容器10を加熱することによって、昇華用原料40を種結晶50上に再結晶化させ、加熱が、第一位置側に配置した第一加熱手段21および第二位置側に配置した第二加熱手段20を利用して実施される。・式(1)T1≧T2〔式(1)中、T1は、第一位置の温度(°C)を表し、T2は第二位置の温度(°C)を表す。〕【選択図】図1
請求項（抜粋）：
反応容器内の第一位置に第一の炭化珪素を含む昇華用原料を収容し、
前記反応容器内の第二位置に、前記第一の炭化珪素よりも昇華温度が高く且つ前記第一の炭化珪素と異なる多形の第二の炭化珪素単結晶からなる種結晶を配置した状態で、
下式(1)を満たすように前記反応容器を加熱することによって、昇華させた前記昇華用原料を、前記種結晶上に炭化珪素単結晶として再結晶化させ、
前記反応容器の加熱が、前記第一位置側に配置した第一加熱手段および前記第二位置側に配置した第二加熱手段を利用して実施されることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
・式(1) T1≧T2
〔式(1)中、T1は、前記第一位置の温度(°C)を表し、T2は前記第二位置の温度(°C)を表す。〕
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (16件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077EA02
, 4G077EC01
, 4G077ED01
, 4G077EG18
, 4G077EG25
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077SA01
, 4G077SA04
, 4G077SA07
, 4G077SA11
