炭化ケイ素単結晶並びにその製造方法及び製造装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：三好秀和 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 栗原彰 , 川又澄雄 , 伊藤正和 , 高橋俊一 , 高松俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-154616
公開番号（公開出願番号）：特開2004-352590
出願日： 2003年05月30日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】絶縁破壊特性、耐熱性、耐放射線性等に優れ、半導体ウエハ等の電子デバイス、発光ダイオード等の光学デバイスなどに特に好適であり、多結晶や多型の混入やマイクロパイプ等の欠陥のない高品質な炭化ケイ素単結晶を提供する。【解決手段】反応容器内の第一端部に昇華用原料を収容し、前記反応容器内の前記昇華用原料に略対向する端部に炭化ケイ素単結晶の種結晶を配置し、昇華させた昇華用原料を前記種結晶上に再結晶させて炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、前記反応容器内部に封止部を設け、昇華させた昇華用原料の昇華雰囲気からの漏洩を前記封止部により防止しつつ、前記封止部に設けた種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法【選択図】なし

請求項（抜粋）：

反応容器内の第一端部に昇華用原料を収容し、前記反応容器内の昇華用原料に略対向する第二端部に炭化ケイ素単結晶の種結晶を配置し、昇華させた昇華用原料を前記種結晶上に再結晶させて炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、前記反応容器内部に封止部を設け、昇華させた昇華用原料の昇華雰囲気からの漏洩を防止しつつ、前記封止部に設けた種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B29/36 , H01L21/20 , H01L33/00

FI (3件)：

C30B29/36 A , H01L21/20 , H01L33/00 A

Fターム (18件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DA02 , 4G077DA19 , 4G077EG15 , 4G077EG25 , 4G077HA01 , 4G077HA06 , 4G077ND05 , 4G077SA01 , 4G077SA07 , 4G077SA11 , 5F041CA33 , 5F052AA11 , 5F052AA17 , 5F052CA04 , 5F052KA05

引用特許：

審査官引用 (5件)

坩堝、結晶成長装置、および、結晶成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-020697 出願人：株式会社シクスオン
炭化ケイ素単結晶並びにその製造方法及び製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-111374 出願人：株式会社ブリヂストン
箔で内張りされた坩堝を有するSiC単結晶昇華成長装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-509583 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

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