特許
J-GLOBAL ID:201003060254379319
インダクタ素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
西 和哉
, 志賀 正武
, 大浪 一徳
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-304437
公開番号(公開出願番号):特開2010-129858
出願日: 2008年11月28日
公開日(公表日): 2010年06月10日
要約:
【課題】シンプルな工程で製造でき、しかも格段に特性向上が可能なインダクタ素子を提供する。【解決手段】本発明のインダクタ素子1は、凹部11Bと凸部11Aとが所定の配列方向1Aに沿って連続した表面形状の下地層11と、凹部11B上と凸部11A上とにわたって設けられ、配列方向1Aに向かって蛇行した導電膜パターン12とを備える。平面型の渦巻き状インダクタ素子よりも巻き数を増やすことが容易であり、小型でありながらインダクタンス値やQ値が高いインダクタンス素子になる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
凹部と凸部とが所定の配列方向に沿って連続した表面形状の下地層と、
前記凹部上と凸部上とにわたって設けられ、前記配列方向に向かって蛇行した導電膜パターンと、を備えていることを特徴とするインダクタ素子。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (2件):
引用特許:
出願人引用 (1件)
-
半導体装置及び電子機器
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-343927
出願人:セイコーエプソン株式会社
前のページに戻る