特許
J-GLOBAL ID:200903052069063999
半導体装置及び電子機器
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
西 和哉
, 志賀 正武
, 青山 正和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-343927
公開番号(公開出願番号):特開2008-159654
出願日: 2006年12月21日
公開日(公表日): 2008年07月10日
要約:
【課題】コスト増を招くことなく、高いインダクタンス値を得ることができる半導体装置を提供する。【解決手段】基板10上にインダクタ素子40を備えたICチップであって、インダクタ素子40を覆う磁性樹脂層36を備え、磁性樹脂層36は粉末状の磁性粒子38が分散された樹脂膜37で形成され、磁性粒子38の中心粒径が、インダクタ素子40の巻き線41間隔よりも大きく形成されていることを特徴とする。【選択図】図2
請求項(抜粋):
基板上にインダクタ素子を備えた半導体装置であって、
前記インダクタ素子を覆う磁性樹脂体を備え、
前記磁性樹脂体は粉末状の磁性体が分散された樹脂材で形成され、前記粉末状の磁性体の中心粒径が、前記インダクタ素子の巻き線間隔よりも大きく形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 21/822
, H01L 27/04
, H01L 23/12
FI (2件):
H01L27/04 L
, H01L23/12 501P
Fターム (9件):
5F038AZ04
, 5F038BE07
, 5F038CA06
, 5F038CA12
, 5F038CA16
, 5F038EZ11
, 5F038EZ15
, 5F038EZ19
, 5F038EZ20
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (4件)
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-252310
出願人:ソニー株式会社
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特開平3-291904
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特開昭57-050410
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