特許
J-GLOBAL ID：201003060276124900
両面にパターンを有するフォトマスクの作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
金山 聡
, 深町 圭子
, 伊藤 英生
, 藤枡 裕実
, 後藤 直樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-189603
公開番号（公開出願番号）：特開2010-026367
出願日： 2008年07月23日
公開日（公表日）： 2010年02月04日
要約：
【課題】両面マスクの作製方法において、予め作製した表面パターンに損傷を与えず、位置ずれが生じた場合には、容易にやり直しが可能な両面マスクの作製方法を提供する。【解決手段】透明基板の表裏両面に異なるパターンを有するフォトマスクの作製方法であって、透明基板の一主面上に遮光膜よりなる表面パターンを形成し、透明基板の他方の主面上にレジスト膜よりなる裏面アライメントマークを形成し、表裏のアライメントマークのずれ量を計測し、前記透明基板の裏面全面に遮光膜を成膜し、リフトオフし、裏面アライメントマークを形成し、前記透明基板の裏面全面に再びレジスト膜を形成し、前記計測したずれ量分を補正してパターン描画し、再度表裏のアライメント用マークのずれ量を計測し、前記透明基板の裏面全面に遮光膜を成膜し、リフトオフして、前記遮光膜よりなる裏面パターンを形成する、ことを特徴とする。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
透明基板の表裏両面に異なるパターンを有するフォトマスクの作製方法であって、
(1)前記透明基板の一方の主面上に第1の遮光膜と第1のレジスト膜を順に形成し、前記第1のレジスト膜をパターン描画し、現像し、露出した第1の遮光膜をエッチングし、前記第1のレジスト膜を剥離して、前記第1の遮光膜よりなる表面本パターンおよび表面アライメントマークを含む表面パターンを形成する工程と、
(2)前記透明基板の他方の主面上に第2のレジスト膜を形成し、前記第2のレジスト膜をパターン描画し、現像し、前記第2のレジスト膜よりなる裏面アライメントマークおよび裏面描画用マークを形成する工程と、
(3)前記表面アライメントマークと前記第2のレジスト膜よりなる裏面アライメントマークとに基づいて表裏のアライメントマークのずれ量を計測する工程と、
(4)前記透明基板の裏面全面に第2の遮光膜を成膜し、次に、前記第2のレジスト膜をリフトオフして剥離し、前記第2の遮光膜よりなる裏面アライメントマークおよび裏面描画用マークを形成する工程と、
(5)前記透明基板の裏面全面に第3のレジスト膜を形成し、前記計測したずれ量分を補正して前記裏面描画用マークに基づいてパターン描画し、現像し、前記第3のレジスト膜よりなる裏面本パターンおよび裏面アライメントマークを形成する工程と、
(6)前記表面アライメントマークと前記第3のレジスト膜よりなる裏面アライメントマークとに基づいて再度表裏のアライメント用マークのずれ量を計測する工程と、
(7)前記透明基板の裏面全面に第3の遮光膜を成膜し、次に、前記第3のレジスト膜をリフトオフして剥離し、前記第3の遮光膜よりなる裏面本パターンを含む裏面パターンを形成する工程と、
を有することを特徴とするフォトマスクの作製方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F1/08 A
, G03F7/40 521
2H095BB01
, 2H095BB06
, 2H095BB26
, 2H095BB31
, 2H095BE07
, 2H095BE10
, 2H096AA24
, 2H096EA06
, 2H096HA23
, 2H096HA28
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (2件)
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