特許

J-GLOBAL ID：201003061781815905

様々な基板上の(Al,In,Ga,B)NのM面および半極性面の結晶成長

発明者： キム・クァン・シー ,  マシュー・シー・シュミット ,  ウー・フェン ,  平井 朝子 ,  メルヴィン・ビー・マクローリン ,  スティーブン・ピー・デンバース ,  シュウジ・ナカムラ ,  ジェームス・エス・スペック
出願人/特許権者： ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア ,  独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-541345
公開番号（公開出願番号）：特表2010-512301
出願日： 2007年12月11日
公開日（公表日）： 2010年04月22日
要約：

パターン化されたマスクを通じてエッチングされたテンプレート材料の側壁からの横方向エピタキシャル・オーバーグロス法を用いた、a-{11-20}面およびm-{l-100}面のような無極性または{10-ln}面のような半極性III族窒化物における貫通転位密度の低減方法が提供される。該方法は、無極性または半極性GaNテンプレートのようなテンプレート材料上にパターン化されたマスクを成膜するステップと、該マスク内の開口を通して色々な深さまで該テンプレート材料をエッチングするステップと、該トレンチの底面から垂直に成長している材料が該側壁の上面に達する前に、該側壁の上面から横方向に会合することによって無極性または半極性III族窒化物を成長するステップとを含む。該会合する特徴物は、該マスクの該開口を通して成長し、完全に会合した連続する薄膜が実現するまで、該誘電体マスク上を横方向に成長する。

請求項（抜粋）：

III族窒化物材料において貫通転位密度を低減する方法であって、 基板上に核生成層を成長するステップと、 前記核生成層上にテンプレート層を成長するステップであって、前記テンプレート層が結晶方位を規定することを特徴とするステップと、 前記テンプレート層上に上表面をもつマスクを成膜するステップと、 前記マスク、前記テンプレート層、および前記核生成層をエッチングするステップであって、前記結晶方位が、前記テンプレート層上で前記エッチングによって作られる複数の窓内に露出することを特徴とするステップと、 前記複数の窓内にIII族窒化物層を成長するステップであって、前記III族窒化物層の前記成長が、前記上表面に達すると、前記III族窒化物層は前記上表面に沿って成長し、第1の窓内の成長が第2の窓の成長と交差点で会合して、前記III族窒化物層のほぼ平坦な上表面を作ることを特徴とするステップと、 前記III族窒化物層の前記ほぼ平坦な上表面を、前記III族窒化物層が低減した貫通転位密度を持つように平坦化するステップとを備えたことを特徴とする方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  C23C 16/34 ,  C30B 25/04 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

C30B29/38 D ,  C23C16/34 ,  C30B25/04 ,  H01L21/205

Fターム (46件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE15 ,  4G077DB12 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE05 ,  4G077EE07 ,  4G077EF03 ,  4G077HA12 ,  4G077TB03 ,  4G077TC06 ,  4G077TC08 ,  4G077TC12 ,  4G077TC17 ,  4G077TK08 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DB01 ,  5F045DB04 ,  5F045HA03 ,  5F045HA13