特許

J-GLOBAL ID：201003061817150654

基板の研磨方法

発明者： 龍崎 大介 ,  星 陽介 ,  小山 直之 ,  野部 茂
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (6件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-198759
公開番号（公開出願番号）：特開2010-153781
出願日： 2009年08月28日
公開日（公表日）： 2010年07月08日
要約：

【課題】基板上に形成された被研磨膜を高速かつ高平坦に研磨することができ、さらに被研磨膜に与える研磨傷を低減することができる研磨方法を提供する。【解決手段】表面に被研磨膜を有する基板を研磨する方法であって、 該方法は、研磨剤を前記被研磨膜と研磨パッドとの間に供給しながら、前記研磨パッドによって前記被研磨膜の研磨を行う工程を備えてなり、 前記研磨剤は少なくとも砥粒と水とを含有してなり、前記砥粒は4価の酸化セリウム粒子及び4価の水酸化セリウム粒子の少なくとも1成分を含有してなり、前記砥粒の1次粒径は1nm以上40nm以下であり、前記研磨パッドのショアD硬度は70以上であることを特徴とする基板の研磨方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

表面に被研磨膜を有する基板を研磨する方法であって、 該方法は、研磨剤を前記被研磨膜と研磨パッドとの間に供給しながら、前記研磨パッドによって前記被研磨膜の研磨を行う工程を備えてなり、 前記研磨剤は少なくとも砥粒と水とを含有してなり、 前記砥粒は4価の酸化セリウム粒子及び4価の水酸化セリウム粒子の少なくとも1成分を含有してなり、 前記砥粒の1次粒径は1nm以上40nm以下であり、 前記研磨パッドのショアD硬度は70以上であることを特徴とする基板の研磨方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  B24B 37/04 ,  B24B 53/02 ,  C09K 3/14

FI (12件)：

H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622B ,  B24B37/00 H ,  B24B37/00 M ,  B24B37/04 K ,  B24B37/00 A ,  H01L21/304 622F ,  H01L21/304 622M ,  H01L21/304 622X ,  B24B53/02 ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z

Fターム (14件)：

3C047BB01 ,  3C047BB16 ,  3C047EE18 ,  3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058AA19 ,  3C058CA05 ,  3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体絶縁膜用CMP研磨剤及び基板の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-153612   出願人：日立化成工業株式会社
• 研磨パッド用ドレッサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-054390   出願人：住友金属工業株式会社
• 研磨装置、研磨方法および研磨工具の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-330007   出願人：ソニー株式会社