MEMSデバイスおよびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：松山允之 , 池上徹真 , 須藤章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-073231
公開番号（公開出願番号）：特開2010-223850
出願日： 2009年03月25日
公開日（公表日）： 2010年10月07日
要約：

【課題】製造プロセスが容易で小型化可能、かつ、高い信頼性を有する中空封止構造を備えたMEMSデバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】基板1と、基板1上に、この基板1と空隙9を介して形成され、穴16が設けられた可動部12と、基板1上に形成され、穴16の内側を可動部12に非接触に貫通する支柱13と、支柱13によって支持され、可動部12上に可動部12と空隙9を介して形成されたキャップ部7、8を有することを特徴とするMEMSデバイスおよびその製造方法。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に前記基板と空隙を介して形成され、穴が設けられた可動部と、前記基板上に形成され、前記穴の内側を前記可動部に非接触に貫通する支柱と、前記支柱によって支持され、前記可動部上に前記可動部と空隙を介して形成されたキャップ部を有することを特徴とするMEMSデバイス。

IPC (11件)：

G01P 15/08 , G01P 15/09 , G01P 9/04 , G01C 19/56 , H01L 29/84 , H01L 41/08 , H01L 41/22 , H01L 41/24 , H01L 41/18 , B81B 3/00 , B81C 1/00

FI (12件)：

G01P15/08 P , G01P15/09 D , G01P9/04 , G01C19/56 , H01L29/84 Z , H01L41/08 Z , H01L41/22 B , H01L41/22 Z , H01L41/22 A , H01L41/18 101Z , B81B3/00 , B81C1/00

Fターム (28件)：

2F105AA10 , 2F105BB02 , 2F105BB12 , 2F105BB13 , 2F105BB15 , 2F105CC04 , 2F105CD03 , 2F105CD13 , 3C081BA07 , 3C081BA30 , 3C081BA43 , 3C081BA44 , 3C081BA48 , 3C081BA55 , 3C081CA03 , 3C081CA28 , 3C081DA02 , 3C081DA06 , 3C081DA11 , 3C081DA22 , 3C081EA02 , 4M112AA02 , 4M112BA07 , 4M112CA21 , 4M112CA24 , 4M112CA31 , 4M112CA33 , 4M112FA20

引用特許：

審査官引用 (2件)

マイクロメカニズム半導体デバイス及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-083047 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
加速度センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-048444 出願人：三菱電機株式会社

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