特許
J-GLOBAL ID：201003062039316775

III族窒化物半導体成長用基板、III族窒化物半導体エピタキシャル基板、III族窒化物半導体素子およびIII族窒化物半導体自立基板、ならびに、これらの製造方法

発明者：
鳥羽 隆一

鳥羽 隆一 について

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宮下 雅仁

宮下 雅仁 について

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豊田 達憲

豊田 達憲 について

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門脇 嘉孝

門脇 嘉孝 について


出願人/特許権者：
DOWAホールディングス株式会社

DOWAホールディングス株式会社 について

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DOWAエレクトロニクス株式会社

DOWAエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (3件)： 杉村 憲司 ,  来間 清志 ,  高梨 玲子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-069413
公開番号（公開出願番号）：特開2010-251736
出願日： 2010年03月25日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：
【課題】成長温度が1050°C以下のAlGaNやGaNやGaInNだけでなく、成長温度が高い高Al組成のAlxGa1-xNにおいても結晶性の良いIII族窒化物半導体エピタキシャル基板、III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体自立基板およびこれらを製造するためのIII族窒化物半導体成長用基板、ならびに、これらを効率よく製造する方法を提供する。【解決手段】少なくとも表面部分がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板と、前記表面部分上に形成されたスカンジウム窒化物膜とを具えることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくともAlを含むIII族窒化物半導体からなる表面部分を有する結晶成長基板と、 前記表面部分上に形成されたスカンジウム窒化物膜と を具えることを特徴とするIII族窒化物半導体成長用基板。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/18
FI (4件)：
H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  C30B29/38 D ,  C30B25/18
Fターム (51件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  4G077FK12 ,  4G077HA12 ,  4G077TB05 ,  4G077TC13 ,  4G077TC19 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045HA06 ,  5F045HA14 ,  5F152LL03 ,  5F152LL05 ,  5F152LL07 ,  5F152LN19 ,  5F152LP08 ,  5F152MM10 ,  5F152MM18 ,  5F152NN03 ,  5F152NN05 ,  5F152NN09 ,  5F152NN13 ,  5F152NP09 ,  5F152NQ09 ,  5F152NQ17
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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