特許
J-GLOBAL ID：201003062581708043
モータ駆動回路及び電動パワーステアリング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松浦 弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-283278
公開番号（公開出願番号）：特開2010-114957
出願日： 2008年11月04日
公開日（公表日）： 2010年05月20日
要約：
【課題】直流電源が逆接続された場合に、直流電源の両端末間の短絡を防止することが可能なモータ駆動回路及びそのモータ駆動回路を有した電動パワーステアリング装置の提供を目的とする。【解決手段】本発明のモータ駆動回路40は、第2の遮断用MOSFET44におけるソース・ゲート間に、分圧回路31を構成する第1の分圧抵抗R1と共に並列接続されたトランジスタ71を備えている。バッテリー92が逆接続された場合、そのバッテリー92の出力で補償ドライブ回路72がトランジスタ71をオンして、第2の遮断用MOSFET44におけるソース・ゲート間が短絡する。これにより、バッテリー92とインバータ回路41とを含む閉回路の形成が防止され、バッテリー92の両端末間が短絡することを防止することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
直流電源の正負の電極間に接続されて、交流モータに給電可能なインバータ回路と、
前記直流電源の正電極と前記インバータ回路との間を連絡する給電ラインの途中に、1対の寄生ダイオードが互いに逆向きになるように直列接続された1対の不使用時遮断用MOSFETと、
前記各不使用時遮断用MOSFETのソースから前記直流電源の負電極へと、順番に分圧回路とドライブ用MOSFETとを並べて直列接続しかつ、前記分圧回路の出力を前記各不使用時遮断用MOSFETのゲートに接続してなる1対のメインドライブ回路と、
通常は、前記1対のドライブ用MOSFETにゲート信号を付与し続けて前記1対の不使用時遮断用MOSFETをオン状態に維持する一方、前記インバータ回路の使用が不可能な異常時には、前記1対のドライブ用MOSFETへのゲート信号の付与を停止することで、前記1対の不使用時遮断用MOSFETをターンオフする制御回路とを備えたモータ駆動回路において、
前記寄生ダイオードのアノードが前記直流電源の正電極側に配置された前記不使用時遮断用MOSFETにおける前記ソース・ゲート間に、前記分圧回路を構成する抵抗と共に並列接続された補償用スイッチ素子と、
前記補償用スイッチ素子と前記直流電源の負電極とに接続され、前記直流電源の正負の電極が正規に接続されたときには、前記補償用スイッチ素子をオフし、前記直流電源の正負の電極が逆接続された異常接続時には、その逆接続された前記直流電源の出力で前記補償用スイッチ素子をオンする補償ドライブ回路とを設けたことを特徴とするモータ駆動回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
3D233CA03
, 3D233CA16
, 3D233CA17
, 3D233CA21
, 5H505AA16
, 5H505BB10
, 5H505CC04
, 5H505DD03
, 5H505EE21
, 5H505GG05
, 5H505HA09
, 5H505HB01
, 5H505LL24
, 5H505MM20
