特許
J-GLOBAL ID：201003062910650345
磁気記憶媒体製造方法、磁気記憶媒体、および情報記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山田 正紀
, 三上 結
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-295483
公開番号（公開出願番号）：特開2010-123178
出願日： 2008年11月19日
公開日（公表日）： 2010年06月03日
要約：
【課題】磁気記憶媒体を製造可能な簡易な製造方法、そのような簡易な製造方法で製造可能な磁気記憶媒体および情報記憶装置を提供する。【解決手段】磁性材料からなる複数の磁性粒子の相互間を非磁性材料が隔ててグラニュラ構造を成したグラニュラ層62aと、軟磁性材料からなる軟磁性層62bとを、基板61側からグラニュラ層62aと軟磁性層62bの順で積層して積層構造の磁性膜62を形成する製膜工程(A)と、その磁性膜62に対し、磁性膜62の厚さ方向については、基板61側とは逆側から軟磁性層62bの深さを狙い、磁性膜62が広がる方向については、所定の保護領域を除いた他の領域に対して局所的にイオンを注入するイオン注入過程(C)とを実行する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
磁性材料からなる複数の磁性粒子の相互間を非磁性材料が隔ててグラニュラ構造を成したグラニュラ層と、軟磁性材料からなる軟磁性層とを、基板側からグラニュラ層と軟磁性層の順で積層して積層構造の磁性膜を形成する磁性膜形成過程と、
前記磁性膜に対し、該磁性膜の厚さ方向については、前記基板側とは逆側から前記軟磁性層の深さを狙い、該磁性膜が広がる方向については、所定の保護領域を除いた他の領域に対して局所的にイオンを注入するイオン注入過程とを有することを特徴とする磁気記憶媒体製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5D112AA17
, 5D112AA20
, 5D112AA24
, 5D112GA23
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)
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磁気記録媒体の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2006-262810
出願人：HOYA株式会社, ホーヤマグネティクスシンガポールプライベートリミテッド, ホーヤコーポレイションユーエスエイ
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