特許

J-GLOBAL ID：201003063735099882

GaN系半導体素子およびその製造方法

発明者： 佐藤 義浩 ,  神林 宏 ,  野村 剛彦 ,  長田 真治
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 松下 亮
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-124068
公開番号（公開出願番号）：特開2010-272728
出願日： 2009年05月22日
公開日（公表日）： 2010年12月02日
要約：

【課題】SiO2からなるゲート絶縁膜を常圧CVDによって形成することで、十分なノーマリオフ特性が得られるGaN系半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板11上にバッファ層13を介して積層されたp型のGaN系化合物半導体からなるチャネル層14とゲート電極Gとの間にゲート絶縁膜17が形成されたGaN系半導体素子1において、ゲート絶縁膜17が、常圧CVD法により成膜されたSiO2膜である。常圧CVD法により成膜されたSiO2膜は、Si-H結合や未結合手の発生が抑制された高品質のSiO2膜である。このようなSiO2膜により、GaN系半導体素子のしきい値の制御に及ぼす悪影響も抑制されるので、十分なノーマリオフ特性が得られる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上にバッファ層を介して積層されたp型のGaN系化合物半導体からなるチャネル層とゲート電極との間にゲート絶縁膜が形成されたGaN系半導体素子において、 前記ゲート絶縁膜が、常圧CVD法により成膜されたSiO2膜であることを特徴とするGaN系半導体素子。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

H01L29/78 301G ,  H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/80 Q ,  H01L21/316 X

Fターム (33件)：

5F058BC02 ,  5F058BF03 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ01 ,  5F102FA01 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS04 ,  5F102GS06 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F140AA06 ,  5F140AA24 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB19 ,  5F140BD06 ,  5F140BE10 ,  5F140BF07 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF43

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-184379
  
• 化合物半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-235316   出願人：住友電気工業株式会社
• 特開平3-184379