特許

J-GLOBAL ID：201003063904711606

レジストパターン形成方法

発明者： 清水 宏明 ,  中村 剛 ,  森 貴敬 ,  古谷 早苗 ,  塩野 大寿 ,  平野 智之 ,  太宰 尚宏
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-201280
公開番号（公開出願番号）：特開2010-039142
出願日： 2008年08月04日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：

【課題】レジストパターン形成方法の提供。【解決手段】ポジ型レジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、前記レジスト膜の露光後加熱を80°C以下で行う工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法であって、前記ポジ型レジスト組成物は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有し、該基材成分(A)を構成する全構成単位に対する酸解離性溶解抑制基を有する構成単位の割合が55〜80モル%であることを特徴とする、レジストパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ポジ型レジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、前記レジスト膜の露光後加熱を80°C以下で行う工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法であって、 前記ポジ型レジスト組成物は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有し、 該基材成分(A)を構成する全構成単位に対する酸解離性溶解抑制基を有する構成単位の割合が55〜80モル%であることを特徴とする、レジストパターン形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/18 ,  C08F 220/28

FI (4件)：

G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/18 ,  C08F220/28

Fターム (40件)：

2H025AA03 ,  2H025AB14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025DA34 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA02P ,  4J100BA03R ,  4J100BA11Q ,  4J100BA15P ,  4J100BA16Q ,  4J100BA40R ,  4J100BB17R ,  4J100BC02P ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC04R ,  4J100BC08P ,  4J100BC08R ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC53Q ,  4J100BC59Q ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-201310   出願人：東京応化工業株式会社