半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：松山允之 , 池上徹真
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-222152
公開番号（公開出願番号）：特開2010-056437
出願日： 2008年08月29日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：

【課題】金属微粒子と半導体基板の反応を利用して電極を形成する、高性能な半導体装置の製造方法およびグレイン粒径の小さい電極を有する高性能な半導体装置を提供する。【解決手段】直径20nm以下の金属微粒子を溶媒中に分散した溶液を、半導体基板上に塗布する工程と、溶媒を蒸発させる工程と、金属微粒子と半導体基板を反応させ、半導体基板表面に金属半導体化合物薄膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。半導体基板上に金属半導体化合物薄膜を有する半導体装置であって、金属半導体化合物薄膜は膜厚方向に単グレインで形成され、単グレインの粒径が40nm以下であることを特徴とする半導体装置。【選択図】図1D

請求項（抜粋）：

直径20nm以下の金属微粒子を溶媒中に分散した溶液を、半導体基板上に塗布する工程と、前記溶媒を蒸発させる工程と、前記金属微粒子と前記半導体基板を反応させ、前記半導体基板表面に金属半導体化合物薄膜を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 21/28 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 27/08 , H01L 21/288 , H01L 29/417 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/786

FI (9件)：

H01L21/28 301S , H01L27/08 321F , H01L27/08 331E , H01L21/288 E , H01L21/28 301R , H01L29/50 M , H01L29/78 301P , H01L29/78 616K , H01L29/78 616V

Fターム (81件)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA09 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD02 , 4M104DD26 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD51 , 4M104DD79 , 4M104DD84 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG16 , 4M104HH04 , 4M104HH05 , 4M104HH16 , 4M104HH17 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AC03 , 5F048AC04 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BC01 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F110AA04 , 5F110AA30 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC10 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE31 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110HJ01 , 5F110HJ16 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK40 , 5F110HK50 , 5F110NN62 , 5F110QQ08 , 5F140AA00 , 5F140AA10 , 5F140AA28 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA05 , 5F140BB05 , 5F140BG08 , 5F140BH21 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BJ09 , 5F140BJ11 , 5F140BJ18 , 5F140BJ30 , 5F140BK16 , 5F140BK20 , 5F140BK28 , 5F140BK34 , 5F140BK39

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-231532 出願人：株式会社東芝

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