特許
J-GLOBAL ID：200903047808460426

半導体装置およびその製造方法

発明者：
新宮 昌生

新宮 昌生 について

, 
木下 敦寛

木下 敦寛 について

, 
土屋 義規

土屋 義規 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (2件)： 松山 允之 ,  池上 徹真
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-231532
公開番号（公開出願番号）：特開2008-060101
出願日： 2006年08月29日
公開日（公表日）： 2008年03月13日
要約：
【課題】電極の接触抵抗、電極自身の抵抗の低減によって高性能化した電界効果トランジスタを含む半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板200に形成されたチャネル領域106と、ゲート絶縁膜101を介して形成されたゲート電極と、チャネル領域106の両側に形成されたソース電極およびドレイン電極を具備するn型電界効果トランジスタを含み、ソース電極およびドレイン電極が第1の金属のシリサイド110aで形成され、半導体基板200と第1の金属のシリサイド110aとの界面に、第2の金属120aを含有する界面層が形成され、第2の金属120aの仕事関数が第1の金属のシリサイド110aの仕事関数よりも小さく、かつ、第2の金属120aのシリサイドの仕事関数が第1の金属のシリサイド110aの仕事関数よりも小さいことを特徴とする半導体装置およびその製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成されたチャネル領域と、 前記チャネル領域表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、 前記チャネル領域の両側に形成されたソース電極およびドレイン電極を具備するn型電界効果トランジスタを含む半導体装置であって、 前記ソース電極およびドレイン電極が第1の金属のシリサイドで形成され、 前記半導体基板と前記第1の金属のシリサイドとの界面に、第2の金属を含有する界面層が形成され、 前記第2の金属の仕事関数が前記第1の金属のシリサイドの仕事関数よりも小さく、かつ、前記第2の金属のシリサイドの仕事関数が前記第1の金属のシリサイドの仕事関数よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/786
FI (9件)：
H01L29/78 301P ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 301X ,  H01L27/08 321F ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 616V
Fターム (137件)：
4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB19 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  5F048AA00 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB15 ,  5F048BC05 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23 ,  5F048DA27 ,  5F110AA03 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE31 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF32 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK01 ,  5F110HK05 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HK40 ,  5F110HM02 ,  5F110HM07 ,  5F110HM15 ,  5F110NN62 ,  5F140AA00 ,  5F140AA01 ,  5F140AA10 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA20 ,  5F140BB05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF18 ,  5F140BF19 ,  5F140BF21 ,  5F140BF29 ,  5F140BF38 ,  5F140BF40 ,  5F140BF42 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG33 ,  5F140BG34 ,  5F140BG37 ,  5F140BG38 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH27 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ09 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ18 ,  5F140BJ19 ,  5F140BJ25 ,  5F140BJ30 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK28 ,  5F140BK29 ,  5F140BK33 ,  5F140BK34 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CF04
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体の接続領域の接触抵抗を低減する方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-301664   出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ, コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
審査官引用 (4件)
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