特許
J-GLOBAL ID：201003065014089870

超臨界アンモニアと窒素の混合ガス中でのIII族窒化物結晶の成長方法及びその方法で成長したIII族窒化物結晶。

発明者：
橋本 忠朗

橋本 忠朗 について


出願人/特許権者：
ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア

ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア について

, 
独立行政法人科学技術振興機構

独立行政法人科学技術振興機構 について


代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-534647
公開番号（公開出願番号）：特表2010-507562
出願日： 2007年10月25日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：
超臨界アンモニアと窒素の混合ガス中でIII族窒化物結晶を成長させる方法と、この方法で成長されたIII族結晶。III族窒化物結晶は、超臨界アンモニア中の反応容器の中で、多結晶のIII族窒化物、非晶質III族窒化物、III族金属、またはこれらの混合物である原材料または栄養剤と、III族窒化物単結晶である種結晶を用いて成長される。高品質III族窒化物結晶を成長させるために、結晶化温度は550°C以上に設定される。理論計算によれば、この温度でのNH3分解はかなり大きいことが示される。しかしながら、NH3分解は反応容器をNH3で充填した後に更なるN2圧力を加えることによって回避できる。
請求項（抜粋）：
(a)III族含有の原材料、III族窒化物種結晶、および鉱化剤を反応容器内に装 填するステップと、 (b)前記反応容器をアンモニアで充填するステップと、 (c)前記反応容器を窒素で充填するステップと、 (d)前記アンモニアを超臨界状態にして、前記超臨界アンモニアの対流が前記原材料 を移送し、前記移送された原材料を前記種結晶上に析出させるように前記反応容 器の温度を上昇させるステップと を備えることを特徴とするIII族窒化物結晶を成長させる方法。
IPC (2件)：
C30B 29/38 ,  C30B 7/10
FI (2件)：
C30B29/38 D ,  C30B7/10
Fターム (20件)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CB04 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077EC01 ,  4G077ED01 ,  4G077EG02 ,  4G077EG25 ,  4G077EH06 ,  4G077EJ09 ,  4G077FG11 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077KA01 ,  4G077KA03 ,  4G077KA05 ,  4G077KA09 ,  4G077KA12
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • R.Dwilinski,R.Doradzinski,J.Garczynski,L.Sierzputowski,Y.Kanbaraによる米国特許第6,656,615号。
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM