特許

J-GLOBAL ID：201003065960875479

表示素子

発明者： 石田 有親
出願人/特許権者： 東芝モバイルディスプレイ株式会社
代理人 (3件)： 樺澤 襄 ,  樺澤 聡 ,  山田 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-161894
公開番号（公開出願番号）：特開2010-003910
出願日： 2008年06月20日
公開日（公表日）： 2010年01月07日
要約：

【課題】表示むらおよび消費電力を抑制し、かつ、高速駆動が可能な液晶パネルを提供する。【解決手段】少なくとも酸化物半導体により形成した活性層33cを備えたnチャネル型の複数の画素駆動用TFT33を備える。非酸化物半導体により形成した活性層45cを備えた複数の駆動回路用TFT45を備える。活性層33cの欠陥密度のばらつきを抑制しかつ閾値電圧が相対的に低い画素駆動用TFT33によって副画素を駆動するので、表示むらおよび消費電力を抑制できる。ドライバを電界効果移動度が高い非酸化物半導体によって形成した活性層45cを有する駆動回路用TFT45により駆動できるので、高速駆動が可能になる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 少なくとも酸化物半導体により形成された駆動用活性層を備え、前記基板上に形成されたnチャネル型の複数の画素駆動用薄膜トランジスタと、 非酸化物半導体により形成された回路用活性層を備え、前記基板上に形成された複数の駆動回路用薄膜トランジスタと、 前記各画素駆動用薄膜トランジスタによりそれぞれ駆動される複数の画素と、 少なくとも前記駆動回路用薄膜トランジスタにより駆動され、前記各画素駆動用薄膜トランジスタを駆動する駆動回路と を具備したことを特徴とする表示素子。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  G09F 9/30

FI (4件)：

H01L29/78 612B ,  G02F1/1362 ,  H01L29/78 618B ,  G09F9/30 338

Fターム (65件)：

2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA44 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092MA07 ,  2H092MA18 ,  2H092MA30 ,  2H092NA24 ,  2H092NA26 ,  5C094AA03 ,  5C094AA04 ,  5C094AA13 ,  5C094AA21 ,  5C094AA43 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA15 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD11 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN12 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN77 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110PP29 ,  5F110QQ11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-250705   出願人：凸版印刷株式会社