薄膜トランジスタおよびその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-250705
公開番号（公開出願番号）：特開2008-072012
出願日： 2006年09月15日
公開日（公表日）： 2008年03月27日
要約：

【課題】ソース電極とドレイン電極の間にInGaZnO4薄膜といった酸化物半導体膜を設けた場合の、ソース電極及びドレイン電極が損傷を受け易いという問題や接触抵抗が大きいという問題が改善された薄膜トランジスタを提供することを課題とする。【解決手段】絶縁基板上に少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、酸化物半導体膜が設けられた薄膜トランジスタであって、前記絶縁基板上に、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜が順次積層され、且つ前記ゲート絶縁膜上に前記ソース電極と前記ドレイン電極が設けられ、且つ前記酸化物半導体膜が前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記ゲート絶縁膜上及び前記ソース電極上の主要部及び前記ドレイン電極上の主要部に設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、酸化物半導体膜が設けられた薄膜トランジスタであって、前記絶縁基板上に、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜が順次積層され、且つ前記ゲート絶縁膜上に前記ソース電極と前記ドレイン電極が設けられ、且つ前記酸化物半導体膜が前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記ゲート絶縁膜上及び前記ソース電極上の主要部及び前記ドレイン電極上の主要部に設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/28

FI (2件)：

H01L29/78 618B , H01L21/28 301B

Fターム (65件)：

4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB36 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD63 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104GG09 , 5F110AA03 , 5F110AA26 , 5F110BB02 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG04 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HL02 , 5F110HL07 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110NN02 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN73 , 5F110QQ05 , 5F110QQ06

引用特許：

審査官引用 (4件)

トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-146907 出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司, 大野英男
トランジスタ構造及びその製作方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2005-501592 出願人：ザ・ステート・オブ・オレゴン・アクティング・バイ・アンド・スルー・ザ・ステート・ボード・オブ・ハイヤー・エデュケーション・オン・ビハーフ・オブ・オレゴン・ステート・ユニバーシティ
電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325364 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

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