特許
J-GLOBAL ID：201003066245756906
フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-335663
公開番号（公開出願番号）：特開2010-156880
出願日： 2008年12月29日
公開日（公表日）： 2010年07月15日
要約：
【課題】金属及びケイ素を含む光半透過膜や遮光膜における波長200nm以下の露光光に対する耐光性を向上させ、フォトマスクの寿命を改善できるフォトマスクブランクの製造方法を提供する。【解決手段】透光性基板上に金属及びケイ素を含む材料からなる薄膜を成膜し、次いで、該薄膜をパターニングして作製されるフォトマスクの薄膜パターンに対して波長200nm以下の露光光が累積して照射された場合に、薄膜パターンの転写特性が所定以上変化しないように、上記薄膜の主表面を予め変質させる処理を施す。この処理は、たとえば酸素を含む雰囲気中での450°C〜900°Cの加熱処理をすることにより行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透光性基板上に、転写パターンを形成するための薄膜を有するフォトマスクブランクの製造方法であって、
前記透光性基板上に、金属及びケイ素を含む材料からなる薄膜を成膜し、次いで、該薄膜をパターニングして作製されるフォトマスクの薄膜パターンに対して波長200nm以下の露光光が累積して照射された場合に、薄膜パターンの転写特性が所定以上変化しないように、前記成膜した薄膜の主表面を予め変質させる処理を施すことを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
2H095BA01
, 2H095BB23
, 2H095BB27
, 2H095BB32
, 2H095BB35
, 2H095BB38
, 2H095BC05
出願人引用 (2件)
審査官引用 (7件)
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