特許
J-GLOBAL ID：201003066555805966
試料のエッチング処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人第一国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-328510
公開番号（公開出願番号）：特開2010-153508
出願日： 2008年12月24日
公開日（公表日）： 2010年07月08日
要約：
【課題】加工形状を安定して保持できるエッチングの量産処理方法を提供する。【解決手段】真空処理室と、ガス供給装置と、プラズマを生成するプラズマ生成手段と、プラズマの発光をモニタする発光分光器と、その発光スペクトルを蓄積する装置を備え、前記真空処理容器内に搬入したウエハにプラズマ処理を施し、ウエハの量産処理を一時中断する装置未稼働時間(アイドリングSS)が発生するエッチングの量産処理方法において、アイドリングSS前後のクリーニングS2、S2’において、リアクタ最表面の反応生成堆積状態と温度の情報を含む前記プラズマ中の発光強度SiF(1)、SiF(2)をモニタし、これらの発光スペクトルを基にデーターベースS4を参照して、アイドリングSS後のプラズマヒーティング工程S3の時間を調整してリアクタを加熱し、プラズマ加熱S3後に次の試料をエッチングS2する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
真空処理室を形成する真空処理容器と、該真空処理容器内に処理ガスを供給するガス供給装置と、該ガス供給装置で供給した処理ガスを解離してプラズマを生成するプラズマ生成手段と、該プラズマ生成手段で生成したプラズマの発光をモニタする発光分光器と、その発光スペクトルを蓄積する手段とを備えたエッチング装置を用い、前記真空処理容器内に搬入した試料にエッチング工程とクリーニング工程を繰り返してエッチング処理を行う試料のエッチング処理方法において、
試料の量産処理時に、
前記クリーニング工程時における発光強度(1)を取得する工程と、
前記量産処理時アイドリングが発生した場合、該アイドリング後のクリーニング工程時における発光強度(2)を取得する工程と、
前記取得した発光強度(1)と発光強度(2)との差もしくはその比を算出する工程と、
該算出した結果と事前に取得したデーターベースを基に算出した加熱時間で真空処理室をプラズマ加熱する加熱工程とを備え、
該プラズマ加熱後に次の試料をエッチングする
ことを特徴とする試料のエッチング処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306
, H01L 21/304
H01L21/302 103
, H01L21/302 101H
, H01L21/304 645C
, H01L21/304 648G
5F004AA01
, 5F004AA15
, 5F004BA14
, 5F004BB25
, 5F004BB26
, 5F004BB28
, 5F004BB29
, 5F004CA06
, 5F004CA09
, 5F004CB02
, 5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA04
, 5F004DA11
, 5F004DA13
, 5F004DA16
, 5F004DA17
, 5F004DA18
, 5F004DA23
, 5F004DA29
, 5F157AA93
, 5F157AB02
, 5F157AB33
, 5F157AC01
, 5F157AC13
, 5F157BG32
, 5F157BH18
, 5F157CD15
, 5F157CE05
, 5F157DB02
, 5F157DB45
