特許
J-GLOBAL ID：200903000674127974
半導体装置の製造装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-202938
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195644
出願日： 1998年07月17日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】【課題】 深いホール形成のためのエッチング時における突然のエッチストップを防止しうる半導体装置の製造装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 チャンバーの下枠1a,石英ドーム2A,上部電極7,Oリング16等により反応室が形成されている。反応室内には、下部電極10と、下部電極10上の被加工物である基板9とが設置されている。石英ドーム2Aの温度は、ヒーター6によって180°C以上の温度に保たれるように制御されている。ガス導入口8より反応室内部にC2 F6 ガス,C4 F8 ガス等のフロロカーボン系ガスを導入し、第1高周波電源5によりアンテナコイル3に高周波電力を印加して、プラズマ17を生成し、基板9をエッチングする。石英ドーム2Aの温度を高温に加熱制御することで、壁面からの酸素の放出を妨げるデポ物の付着を妨げ、エッチストップを発生させるホール底のデポ物を酸素により除去する。
請求項（抜粋）：
ウエハ上の膜にエッチングを行なうための反応室と、上記反応室内に少なくとも炭素とフッ素とを含むエッチング用ガスを導入するためのガス供給手段と、上記エッチング用ガスを高密度プラズマにするためのプラズマ発生手、上記反応室内に少なくとも表面の一部が露出するように配設され、上段と記プラズマ内のO及びCのうち少なくともいずれか1つの濃度を変更する機能を有する濃度変更手段と、上記濃度変更手段による濃度変更機能の大きさを調節するための調節手段とを備えている半導体装置の製造装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, H05H 1/46
, C23C 16/50
, C23F 4/00
H01L 21/302 E
, H05H 1/46 B
, C23C 16/50
, C23F 4/00 D
