特許
J-GLOBAL ID:201003067079909479

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 酒井 宏明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-178031
公開番号(公開出願番号):特開2010-021195
出願日: 2008年07月08日
公開日(公表日): 2010年01月28日
要約:
【課題】CMP(Chemical Mechanical Polishing)ストッパ膜を終点検出膜として利用しつつ、CMPによる平坦化精度を向上させる半導体装置及びその製造方法の提供。【解決手段】ゲート電極3a上にはシリサイド層7aを形成するとともに、ゲート電極3b上にはシリサイド防止膜4bを形成し、半導体基板1上の第1の領域においては、シリサイド防止膜4bが露出するように、犠牲膜10、CMPストッパ膜9および層間絶縁膜8のCMPを行い、第2の領域においては、CMPストッパ膜9が露出するように、犠牲膜10のCMPを行うことで、第1の領域R1および第2の領域R2を平坦化する。【選択図】図3
請求項(抜粋):
第1の領域および第2の領域を有する半導体基板と、 前記第1の領域の前記半導体基板上に形成された第1のゲート絶縁膜と、 前記第2の領域の前記半導体基板上に形成された第2のゲート絶縁膜と、 前記第1のゲート絶縁膜上に形成された第1のゲート電極と、 前記第1のゲート電極上に形成され、前記第1のゲート電極の側壁と面一な側壁を有する第1のCMPストッパ膜と、 前記第2のゲート絶縁膜上に形成され、前記半導体基板からの高さが前記第1のCMPストッパ膜の上面の高さより低く形成された第2のゲート電極と、 前記第2の領域の前記第2のゲート電極上に、前記第2のゲート電極の幅より幅広に形成され、前記半導体基板からの上面の高さが前記第1のCMPストッパ膜の上面の高さと一致するよう形成された第2のCMPストッパ膜と、 前記第1のCMPストッパ膜の上面上および前記第2のCMPストッパ膜の上面上に形成された層間絶縁層とを備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (11件):
H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/283 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/10
FI (8件):
H01L27/08 102D ,  H01L21/283 B ,  H01L29/58 G ,  H01L21/88 K ,  H01L27/08 102C ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 481
Fターム (97件):
4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA06 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104CC05 ,  4M104DD06 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD75 ,  4M104EE05 ,  4M104EE12 ,  4M104EE15 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  4M104GG19 ,  4M104HH12 ,  5F033GG00 ,  5F033GG01 ,  5F033GG02 ,  5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH25 ,  5F033KK04 ,  5F033KK07 ,  5F033KK15 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033KK25 ,  5F033MM07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS11 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033XX01 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB17 ,  5F048BF01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF11 ,  5F048BF15 ,  5F048DA24 ,  5F048DA25 ,  5F083EP18 ,  5F083EP22 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA35 ,  5F083JA56 ,  5F083PR06 ,  5F083PR40 ,  5F083PR42 ,  5F083PR52 ,  5F083ZA05 ,  5F083ZA07 ,  5F101BA45 ,  5F101BB02 ,  5F101BD21 ,  5F101BD30 ,  5F101BH21
引用特許:
出願人引用 (1件)

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