特許
J-GLOBAL ID:201003067609168580
バイアス電圧生成回路、それを用いたオーディオ信号処理回路および電子機器
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
森下 賢樹
, 真家 大樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-320206
公開番号(公開出願番号):特開2010-148182
出願日: 2008年12月16日
公開日(公表日): 2010年07月01日
要約:
【課題】ノイズを低減する。【解決手段】バイアス電圧生成回路50は、バイアス電圧Vbiasを生成する。充電回路54は、キャパシタC3に充電電流Ichgを供給して充電する。充電電流制御回路CNT1は、キャパシタC3に生ずるバイアス電圧Vbiasをその目標値Vsetと比較し、比較結果に応じて充電電流Ichgの値を調節する。第1定電流源CCS1は、キャパシタC3に第1定電流Ic1を供給する。第1可変電流源VCS1は、充電電流制御回路CNT1による比較結果に応じてその値が変化する第1可変電流Iv1を生成する。充電回路54は、第1定電流Ic1と第1可変電流Iv1の合成電流(Ic1-Iv1)によってキャパシタC3を充電する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
バイアス電圧を生成するバイアス電圧生成回路であって、
キャパシタと、
前記キャパシタに充電電流を供給して充電する充電回路と、
前記キャパシタの電圧を前記バイアス電圧の目標値と比較し、比較結果に応じて前記充電電流の値を調節する充電電流制御回路と、
を備え、前記キャパシタの電圧を前記バイアス電圧として出力することを特徴とするバイアス電圧生成回路。
IPC (3件):
H02M 3/00
, H03F 1/00
, G05F 1/10
FI (5件):
H02M3/00 G
, H03F1/00 Z
, G05F1/10 304E
, G05F1/10 304F
, G05F1/10 302B
Fターム (34件):
5H410BB04
, 5H410CC02
, 5H410CC08
, 5H410DD02
, 5H410FF05
, 5H410FF24
, 5H410GG01
, 5H410LL03
, 5H730AA02
, 5H730AA08
, 5H730AA20
, 5H730AS01
, 5H730BB14
, 5H730CC10
, 5H730CC28
, 5H730DD04
, 5H730DD10
, 5H730FD01
, 5J500AA02
, 5J500AA12
, 5J500AC48
, 5J500AC49
, 5J500AF10
, 5J500AF18
, 5J500AH25
, 5J500AH29
, 5J500AH39
, 5J500AK02
, 5J500AK12
, 5J500AK62
, 5J500AS05
, 5J500AT01
, 5J500RF00
, 5J500RF07
引用特許:
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