特許
J-GLOBAL ID：201003067750393920
表面増強ラマン分光測定方法及び本方法を用いた表面増強ラマン分光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 内藤 浩樹
, 永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-014947
公開番号（公開出願番号）：特開2010-175251
出願日： 2009年01月27日
公開日（公表日）： 2010年08月12日
要約：
【課題】金ナノロッド等の形状異方性を有する金属微粒子が同一方向で固定化されていなくとも、高精度に被検物質の濃度が測定することができる表面増強ラマン分光方法および装置を提供する。【解決手段】被検物質を、形状異方性を持つ金属微粒子105aが形成されたセル105に供給し、前記セル105に光を照射し、前記光の偏光状態を偏光制御器102により変化させながら、前記セルを透過、または、散乱、または、反射した光を検出し、検出された光の光量から、最適な偏光状態を決定する。得られた偏光状態になるよう偏光素子を制御し、最適な偏光状態で前記セルに光を照射し、表面増強ラマン散乱を発生させ、発生した表面増強ラマン散乱光を検出する。検出された表面増強ラマン散乱光を分析することにより、被検成分濃度を高精度に算出する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
被検物質の濃度を表面増強ラマン分光法により測定する方法であって、
a) 被検物質を、形状異方性を持つ金属微粒子が形成されたセルに供給する工程、
b) 前記セルに光を照射する工程、
c) 前記光の偏光状態を変化させながら、前記セルを透過、または、散乱、または、反射した光を検出する工程、
d) 工程c)により検出された光の光量から、最適な偏光状態を決定する工程、
e) 工程d)で得られた偏光状態になるよう偏光素子を制御する工程、
f) 工程e)の偏光状態で前記セルに光を照射し、表面増強ラマン散乱を発生させる工程、
g) 工程f)により発生した表面増強ラマン散乱光を分光し、検出する工程、
h) 工程g)により検出された表面増強ラマン散乱光から被検物質濃度を算出する工程
を含む表面増強ラマン分光測定方法
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
2G043AA01
, 2G043EA03
, 2G043EA10
, 2G043HA01
, 2G043HA02
, 2G043HA09
