特許
J-GLOBAL ID:201003068042940461

素子試験装置及び接触子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 服部 毅巖
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-229659
公開番号(公開出願番号):特開2010-066000
出願日: 2008年09月08日
公開日(公表日): 2010年03月25日
要約:
【課題】半導体装置を精度よく評価する。【解決手段】素子試験装置1は、半導体素子20に配設されたコレクタ電極に接触して半導体素子20を支持する金属板11と、半導体素子20に配設されたエミッタ電極20eを押圧しつつ、エミッタ電極20eに接触する伸縮機構を備えた複数の接触子30eと、を備えている。そして、接触子30eの先端部がアルカリ溶液に対し、耐性のある金属で構成されている。このような素子試験装置1によれば、先端部の目減りが防止され、半導体素子20を精度よく評価することができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体素子の電気的特性を評価する素子試験装置であって、 前記半導体素子の第1の主面に配設された第1の主電極に接触して、前記半導体素子を支持する支持台と、 支持された前記半導体素子の第2の主面に配設された第2の主電極を押圧しつつ、前記第2の主電極に接触する伸縮機構を備えた複数の接触子と、 を備え、 前記接触子がホルダ部と、前記ホルダ部に対し伸縮する支柱部と、前記支柱部の先端に設けられた先端部と、を有し、前記先端部がアルカリ溶液に対し、耐性のある金属で構成されていることを特徴とする素子試験装置。
IPC (2件):
G01R 1/067 ,  G01R 31/26
FI (2件):
G01R1/067 J ,  G01R31/26 J
Fターム (18件):
2G003AA01 ,  2G003AE09 ,  2G003AG03 ,  2G003AG12 ,  2G003AH07 ,  2G011AA04 ,  2G011AA16 ,  2G011AB01 ,  2G011AB03 ,  2G011AB04 ,  2G011AB05 ,  2G011AB07 ,  2G011AB09 ,  2G011AC13 ,  2G011AC14 ,  2G011AE03 ,  2G011AE22 ,  2G011AF07
引用特許:
出願人引用 (1件)

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