半導体装置の製造方法およびこの方法に用いる圧力容器

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松下亮
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-088538
公開番号（公開出願番号）：特開2010-263200
出願日： 2010年04月07日
公開日（公表日）： 2010年11月18日
要約：

【課題】コストの低減を図りつつ、半導体チップのバンプと基板のパッドとの良好な半田接合を得ることができ、かつ接合信頼性を向上させた半導体装置の製造方法およびこの方法に用いる圧力容器を提供する。【解決手段】バンプ4を有する複数の半導体チップ3を基板1上にフリップチップ実装して半導体装置を製造する半導体装置の製造方法は、以下の工程を含む。複数の半導体チップ3を、各バンプ4が基板1上の各パッド2表面の半田層5上に載るように、基板1上に配置する工程。複数の半導体チップ3が基板1上に配置されたワークWを圧力容器8に入れる工程。圧力容器8中の気圧を、ワークWを加熱する際の最高温度における接着剤層6に含まれる溶剤の蒸気圧よりも高くし、この状態で、ワークWをヒータ12により加熱し、半田層5を溶融させる工程。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

バンプをそれぞれ有する複数の半導体チップを、パッドと、前記パッドの表面に設けられた半田層とを有する基板上に、接着剤層を介してフリップチップ実装して半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、 (a)前記複数の半導体チップを、前記各バンプが対応する前記各パッド表面の前記半田層上に載るように押圧して、前記基板上に配置する工程と、 (b)前記複数の半導体チップが前記基板上に配置されたワークを圧力容器に入れる工程と、 (c)前記圧力容器中の気圧を、前記ワークを加熱する際の最高温度における前記接着剤層に含まれる溶剤の蒸気圧よりも高くし、この状態で、前記ワークを加熱し、前記半田層を溶融させることにより、前記バンプと前記パッドとの半田接合を得る工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/60

FI (1件)：

H01L21/60 311Q

Fターム (4件)：

5F044KK02 , 5F044KK14 , 5F044LL01 , 5F044RR19

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体実装方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-157751 出願人：株式会社ティ・アイ・エフ
接続装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-199806 出願人：日立化成工業株式会社
実装方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-237487 出願人：東レエンジニアリング株式会社

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