特許
J-GLOBAL ID：200903027280531872
半導体実装方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
雨貝 正彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-157751
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335386
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 フリップチップ実装されたベアチップの設置状態を安定させることができ、実装工程の簡略化が可能であり、しかも実装時に使用する樹脂の選択の範囲を広げることができる半導体実装方法を提供する。【解決手段】 半導体ウエハから切り出されたメモリ用ベアチップ1をフリップチップ実装する際、あらかじめ、モジュール基板2上に所定厚の樹脂層8を形成しておく。次にチップ用パッド3と基板用パッド4が対向するように位置を合わせ、熱源13で加熱しながら、加圧板11と加圧板12によって、メモリ用ベアチップ1とモジュール基板2を挟むようにして加圧する。加熱と加圧によって、基板用パッド4に形成された半田メッキ6がチップ用パッド3に形成された金ボールのバンプ5に付着し、その後の冷却によって、金ボールのバンプ5と半田メッキ6による接合部が形成され、樹脂層8が硬化する。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハから切り出されたベアチップを基板にフリップチップ実装する半導体実装方法において、前記ベアチップの表面に形成された複数のチップ用パッドに導電性部材を取り付ける第1の工程と、前記ベアチップが実装される前記基板の一方の面に樹脂層を形成する第2の工程と、前記ベアチップ上の前記複数のチップ用パッドと前記基板上に形成された複数の基板用パッドとが対応するように、前記ベアチップを前記樹脂層を介して前記基板の一方の面に押圧し、加熱する第3の工程と、前記第3の工程の押圧状態を維持しながら前記ベアチップと前記基板とを冷却する第4の工程と、を備えることを特徴とする半導体実装方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/56
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/56 R
