特許

J-GLOBAL ID：201003069745029414

シャロートレンチアイソレーション膜のためのアミノシラン

発明者： スコット ジェフリー ワイゲル ,  マーク レナード オニール ,  ビン ハン ,  ハンソン チェン ,  マンチャオ シャオ ,  リー チャ-チェン
出願人/特許権者： エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  小林 良博 ,  出野 知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-163849
公開番号（公開出願番号）：特開2010-021551
出願日： 2009年07月10日
公開日（公表日）： 2010年01月28日
要約：

【課題】記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、1つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。【解決手段】高アスペクト比の特徴を有する半導体基材を用意する工程、該半導体基材を低分子量のアミノシランを含む液体配合物と接触させる工程、該半導体基材上に該液体配合物を塗布することにより膜を形成する工程、及び該膜を酸化条件下において高温で加熱する工程を含む方法が提供される。この方法のための組成物もまた記載される。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

記憶又は論理回路を含む半導体基材において使用されるギャップ充填可能な特徴のための二酸化ケイ素含有膜のスピンオン堆積方法であって、 絶縁体で満たされるべきギャップ充填可能な特徴を有する半導体基材を用意する工程、 該半導体基材をアミノシランを含む液体配合物と接触させる工程、 該半導体基材上に該液体配合物を塗布することにより膜を形成し、前記特徴を充填する工程、及び 該膜を加熱して二酸化ケイ素含有膜を形成する工程 を含む方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/76

FI (2件)：

H01L21/316 G ,  H01L21/76 L

Fターム (12件)：

5F032AA44 ,  5F032AA69 ,  5F032DA10 ,  5F032DA53 ,  5F032DA74 ,  5F058BA02 ,  5F058BC02 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BH17 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 積層体およびその形成方法、絶縁膜、ならびに半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-276051   出願人：JSR株式会社