特許
J-GLOBAL ID：200903008989841811

積層体およびその形成方法、絶縁膜、ならびに半導体装置

発明者：
服部 清太郎

服部 清太郎 について

, 
関口 学

関口 学 について

, 
小久保 輝一

小久保 輝一 について


出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


代理人 (3件)： 大渕 美千栄 ,  布施 行夫 ,  井上 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-276051
公開番号（公開出願番号）：特開2007-088260
出願日： 2005年09月22日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：
【課題】 低い比誘電率を有し、かつ、有機系膜と無機系膜との密着性に優れた積層体およびその形成方法、絶縁膜、ならびに半導体装置を提供する。【解決手段】 積層体の形成方法は、基材の上に、無機系膜のための第1の塗膜を形成し、前記第1の塗膜の表面に対して、紫外線照射処理、電子線照射処理、およびプラズマ処理から選ばれる少なくとも1種の処理を行ない、前記処理後の前記第1の塗膜の上に、反応性シラン化合物および有機溶媒を含む密着促進用組成物を塗布した後、有機系膜のための第2の塗膜を連続的に形成することにより、積層膜を形成し、前記積層膜を硬化すること、を含む。前記反応性シラン化合物は、(Ri)nSi(Xj)4-n,i=1〜n,n=1〜3,j=1〜4-n,で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
基材の上に、無機系膜のための第1の塗膜を形成し、 前記第1の塗膜の表面に対して、紫外線照射処理、電子線照射処理、およびプラズマ処理から選ばれる少なくとも1種の処理を行ない、 前記処理後の前記第1の塗膜の上に、反応性シラン化合物および有機溶媒を含む密着促進用組成物を塗布した後、有機系膜のための第2の塗膜を連続的に形成することにより、積層膜を形成し、 前記積層膜を硬化すること、を含み、 前記反応性シラン化合物は、下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物、および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物からなる、積層体の形成方法。
IPC (7件)：
H01L 21/312 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  B05D 3/06 ,  B05D 7/24 ,  H01L 21/316 ,  B32B 9/00
FI (8件)：
H01L21/312 N ,  H01L21/90 Q ,  H01L21/90 M ,  H01L21/90 S ,  B05D3/06 Z ,  B05D7/24 302Y ,  H01L21/316 M ,  B32B9/00 A
Fターム (90件)：
4D075AE03 ,  4D075BB46Y ,  4D075BB47Y ,  4D075BB49Y ,  4D075BB93Z ,  4D075EB01 ,  4D075EB43 ,  4F100AA01B ,  4F100AH00D ,  4F100AH02D ,  4F100AH05D ,  4F100AH06D ,  4F100AK02D ,  4F100AK42D ,  4F100AK43D ,  4F100AK49D ,  4F100AK52D ,  4F100AK54D ,  4F100AK55D ,  4F100AK56D ,  4F100AK57D ,  4F100AK80D ,  4F100AL05D ,  4F100AT00A ,  4F100BA04 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10B ,  4F100EH46 ,  4F100EH462 ,  4F100EJ08 ,  4F100EJ082 ,  4F100EJ42 ,  4F100EJ422 ,  4F100EJ48 ,  4F100EJ482 ,  4F100EJ53 ,  4F100EJ532 ,  4F100EJ54 ,  4F100EJ542 ,  4F100EJ61 ,  4F100EJ612 ,  4F100EJ86 ,  4F100EJ862 ,  4F100GB41 ,  4F100JD04 ,  4F100JG04C ,  4F100JG04D ,  4F100JG05D ,  4F100JL11D ,  4F100JM02B ,  4F100JM02C ,  4F100JM02D ,  4F100YY00D ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ54 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR20 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR23 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033VV16 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW09 ,  5F033XX12 ,  5F033XX24 ,  5F058AA08 ,  5F058AC02 ,  5F058AC10 ,  5F058AD04 ,  5F058AD09 ,  5F058AD10 ,  5F058AE01 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BC02 ,  5F058BC05 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BD19 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH10 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (3件)

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