特許
J-GLOBAL ID:201003069964974094

センサデバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西川 惠清
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-060990
公開番号(公開出願番号):特開2010-216846
出願日: 2009年03月13日
公開日(公表日): 2010年09月30日
要約:
【課題】外部から電力を供給することなく動作可能なセンサデバイスを提供する。【解決手段】第1のガラス基板10aを用いて形成されたベース基板10と、半導体基板20aを用いて形成されてベース基板10の一表面側に固着されるフレーム部21およびフレーム部21の内側に配置され可撓性の撓み部22を介して揺動自在に支持された振動子23を有する振動子形成基板20と、第2のガラス基板30aを用いて形成され振動子形成基板20との間に振動子23の変位を可能とする変位空間35を形成する形で振動子形成基板20に固着されたカバー基板30と、撓み部22に形成され振動子23の振動に応じて交流電圧を発生する圧電変換部からなる発電部24と、フレーム部21のダイヤフラム部26にも設けた可動電極27とカバー基板30に設けられた固定電極37とで構成され発電部24からの交流電圧によりバイアスされるセンサ部25とを備える。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ベース基板と、半導体基板を用いて形成されてベース基板の一表面側に固着されるフレーム部およびフレーム部の内側に配置され可撓性の撓み部を介して揺動自在に支持された振動子を有する振動子形成基板と、撓み部に形成され振動子の振動に応じて交流電圧を発生する圧電変換部からなる発電部と、少なくとも一部がフレーム部に設けられ発電部からの交流電圧によりバイアスされるセンサ部とを備えることを特徴とするセンサデバイス。
IPC (6件):
G01L 9/00 ,  G01K 7/18 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/187 ,  G01K 7/20 ,  G01K 1/02
FI (7件):
G01L9/00 305Z ,  G01K7/18 B ,  H01L41/08 Z ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101D ,  G01K7/20 Z ,  G01K1/02 E
Fターム (24件):
2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE25 ,  2F055FF49 ,  2F055GG11 ,  2F056AE01 ,  2F056AE05 ,  2F056AE07 ,  2F073AA02 ,  2F073AA03 ,  2F073AB02 ,  2F073AB11 ,  2F073BB02 ,  2F073BC02 ,  2F073CC02 ,  2F073EE12 ,  2F073FF02 ,  2F073FF06 ,  2F073FF11 ,  2F073GG02 ,  2F073GG04 ,  2F073GG07
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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