特許

J-GLOBAL ID：201003070194617334

サセプタ、気相成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法

発明者： 宮下 順次
出願人/特許権者： 株式会社SUMCO
代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-197880
公開番号（公開出願番号）：特開2010-040534
出願日： 2008年07月31日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：

【課題】均一な膜厚のエピタキシャル層を有するエピタキシャルウェーハを製造するための手段を提供すること。【解決手段】半導体ウェーハの表面上にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造する際に該半導体ウェーハを収容する座ぐり凹部を有するサセプタ。上記座ぐり凹部の側壁は平坦部と該平坦部より高い突出部とからなり、かつ該平坦部の高さは上記半導体ウェーハの厚み以上である。前記サセプタを含む気相成長装置および前記サセプタを使用するエピタキシャルウェーハの製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの表面上にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造する際に該半導体ウェーハを収容する座ぐり凹部を有するサセプタであって、 上記座ぐり凹部の側壁は平坦部と該平坦部より高い突出部とからなり、かつ該平坦部の高さは上記半導体ウェーハの厚み以上であることを特徴とするサセプタ。

IPC (3件)：

H01L 21/683 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/458

FI (3件)：

H01L21/68 N ,  H01L21/205 ,  C23C16/458

Fターム (33件)：

4K030AA03 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030GA06 ,  4K030JA01 ,  4K030KA02 ,  4K030LA15 ,  5F031CA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA06 ,  5F031HA10 ,  5F031HA37 ,  5F031MA28 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE17 ,  5F045EK12 ,  5F045EK13 ,  5F045EM02 ,  5F045EM10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• エピタキシャルウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-198999   出願人：信越半導体株式会社

審査官引用 (1件)

• 薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-131757   出願人：シャープ株式会社