パターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：前田弘 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 関啓 , 杉浦靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-045616
公開番号（公開出願番号）：特開2010-199495
出願日： 2009年02月27日
公開日（公表日）： 2010年09月09日
要約：

【課題】パターン形状に優れた、トリミング法によるパターン形成方法を簡易に実現できるようにする。【解決手段】基板101の上に光酸発生剤を含むポジ型のレジスト膜102を形成する。その後、レジスト膜102に露光光を選択的に照射してパターン露光を行う。続いて、パターン露光が行われたレジスト膜102に第1の加熱を行い、加熱されたレジスト膜102に第1の現像を行って、第1のレジストパターン102aを形成する。続いて、第1のレジストパターン102aを、熱酸発生剤を含み且つポリマー及び架橋剤を含まない溶液104にさらし、溶液104にさらされた第1のレジストパターン102aに第2の加熱を行う。その後、加熱された第1のレジストパターン102aに第2の現像を行って、第1のレジストパターン102aが縮小された第2のレジストパターン102bを得る。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板の上に、光酸発生剤を含むポジ型のレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う工程と、パターン露光が行われた前記レジスト膜に対して第1の加熱を行う工程と、加熱された前記レジスト膜に対して第1の現像を行って、前記レジスト膜から第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンを、熱酸発生剤を含み且つポリマー及び架橋剤を含まない溶液にさらす工程と、前記溶液にさらされた前記第1のレジストパターンに対して第2の加熱を行う工程と、加熱された前記第1のレジストパターンに対して第2の現像を行うことにより、前記第1のレジストパターンが縮小された第2のレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/40 , H01L 21/28

FI (4件)：

H01L21/30 570 , H01L21/30 568 , G03F7/40 511 , H01L21/28 D

Fターム (11件)：

2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096BA20 , 2H096EA05 , 2H096FA01 , 2H096HA05 , 2H096JA04 , 4M104DD62 , 4M104DD71 , 4M104HH14 , 5F046LA18

引用特許：

出願人引用 (1件)

レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-225826 出願人：富士通株式会社

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