特許
J-GLOBAL ID：200903041027430167
レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
廣田 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-225826
公開番号（公開出願番号）：特開2007-017993
出願日： 2006年08月22日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：
【課題】 レジストパターンを薄肉化可能な材料等の提供。【解決手段】 水溶性樹脂及びアルカリ可溶性樹脂選択される少なくとも1種を含有するレジストパターン薄肉化材料。形成したレジストパターンの表面を覆うように該レジストパターン薄肉化材料を塗布し、該レジストパターンの表面に該レジストパターン薄肉化材料とのミキシング層を形成することを含むレジストパターンの製造方法。下地層上に形成したレジストパターンの表面を覆うように該レジストパターン薄肉化材料を塗布し、レジストパターンの表面に該レジストパターン薄肉化材料とのミキシング層を形成し現像処理し、薄肉化したレジストパターンを形成する工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
レジストパターンを形成後、
該レジストパターンの表面を覆うように、ArFレジストで形成されたパターンを薄肉化するのに用いられるレジストパターン薄肉化材料であって、少なくともポリビニルフェノール樹脂と、架橋剤とを含有するレジストパターン薄肉化材料を塗布し、
該レジストパターンの表面に、該レジストパターンの材料と該レジストパターン薄肉化材料とのミキシング層を形成する
ことを少なくとも含むことを特徴とするレジストパターンの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F7/40 511
, H01L21/30 570
2H096AA25
, 2H096BA01
, 2H096BA09
, 2H096HA05
, 2H096HA07
, 2H096JA04
, 5F046LA18
