特許
J-GLOBAL ID：201003071912164145

プラズマ処理装置

発明者：
出尾 晋一

出尾 晋一 について

, 
坂井 裕一

坂井 裕一 について

, 
吉田 幸久

吉田 幸久 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-037091
公開番号（公開出願番号）：特開2010-103455
出願日： 2009年02月19日
公開日（公表日）： 2010年05月06日
要約：
【課題】反応ガスのガス圧力が高い条件においても半導体や導電性などの抵抗値の低い被処理部材に対して均一に成膜等のプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を得ること。【解決手段】第1電極および接地された第2電極との間隙にプラズマを発生させるプラズマ発生器と、第1電極に電力を印可する電源と、第1電極と第2電極との間隙に反応ガスを供給するガス供給源と、を備え、電源により第1電極に電力を印加した状態で第1電極と第2電極との間隙に反応ガスを流通させることにより反応ガスをプラズマ化させたプラズマ流を、プラズマ流のプラズマ発生器からの噴出方向が被処理面と略垂直となるように配置された被処理部材に照射するプラズマ処理装置であって、第1電極と被処理面との間隙の最小間隙寸法が、プラズマ発生器においてプラズマ流を噴出する噴出部近傍における第1電極と第2電極との間隙の最小間隙寸法より大である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1電極および接地された第2電極との間隙にプラズマを発生させるプラズマ発生器と、前記第1電極に電力を印可する電源と、前記第1電極と第2電極との間隙に反応ガスを供給するガス供給源と、を備え、前記電源により前記第1電極に電力を印加して前記第1電極と前記第2電極との間隙に電界を発生させた状態で前記第1電極と前記第2電極との間隙に前記反応ガスを流通させることにより前記反応ガスをプラズマ化させたプラズマ流を、前記プラズマ流の前記プラズマ発生器からの噴出方向が被処理面と略垂直となるように配置された被処理部材に照射するプラズマ処理装置であって、 前記第1電極と前記被処理面との間隙の最小間隙寸法が、前記プラズマ発生器において前記プラズマ流を噴出する噴出部近傍における前記第1電極と前記第2電極との間隙の最小間隙寸法より大であること、 を特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/306 ,  C23C 16/509 ,  H05H 1/24
FI (4件)：
H01L21/205 ,  H01L21/302 101E ,  C23C16/509 ,  H05H1/24
Fターム (33件)：
4K030AA06 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030CA04 ,  4K030CA17 ,  4K030FA03 ,  4K030JA03 ,  4K030JA09 ,  4K030KA01 ,  4K030KA14 ,  4K030KA15 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F004AA14 ,  5F004BA06 ,  5F004BB13 ,  5F004CA02 ,  5F004DA24 ,  5F004DB13 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC17 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045BB02 ,  5F045EF08 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH12 ,  5F045EH19
引用特許：
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM