中空シリカ粒子の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：大谷保 , 東平正道 , 片岡誠 , 平澤賢一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-202270
公開番号（公開出願番号）：特開2010-037150
出願日： 2008年08月05日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：

【課題】シングルナノ領域に周期性があり、かつ平均粒子径及び比表面積が小さい中空シリカ粒子、及びその製造方法を提供する。【解決手段】(1)粉末X線回折測定において、結晶格子面間隔(d)が1〜10nmの範囲に相当する回折角(2θ)に1本以上のピークを示し、窒素吸着法によるBET比表面積が30m2/g以下である中空シリカ粒子の製造方法であって、中空構造でありかつ外殻部にメソ細孔を有するBET表面積が100m2/g以上のメソポーラスシリカ粒子のメソ細孔内に、非酸化性雰囲気での焼成により炭化する炭素含有化合物を充填し、非酸化性雰囲気下で800°C以上で焼成して炭素支持体とした後、酸化性雰囲気下で加熱して、該炭素支持体を除去する工程を含む中空シリカ粒子の製造方法、及び(2)粉末X線回折測定において、結晶格子面間隔(d)が1〜10nmの範囲に相当する回折角(2θ)に1本以上のピークを示し、平均粒子径が0.05〜2μmであり、かつ窒素吸着法によるBET比表面積が30m2/g以下である中空シリカ粒子である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

粉末X線回折測定において、結晶格子面間隔(d)が1〜10nmの範囲に相当する回折角(2θ)に1本以上のピークを示し、窒素吸着法によるBET比表面積が30m2/g以下である中空シリカ粒子の製造方法であって、中空構造でありかつ外殻部にメソ細孔を有するBET表面積が100m2/g以上のメソポーラスシリカ粒子のメソ細孔内に、非酸化性雰囲気での焼成により炭化する炭素含有化合物を充填し、非酸化性雰囲気下で800°C以上で焼成して炭素支持体とした後、酸化性雰囲気下で加熱して、該炭素支持体を除去する工程を含む、中空シリカ粒子の製造方法。

IPC (1件)：

C01B 37/02

FI (1件)：

C01B37/02

Fターム (26件)：

4G072AA25 , 4G072BB15 , 4G072BB16 , 4G072HH30 , 4G072MM36 , 4G072MM40 , 4G072TT01 , 4G072TT06 , 4G072TT08 , 4G072UU09 , 4G073BB66 , 4G073BB71 , 4G073BB75 , 4G073CZ54 , 4G073FA18 , 4G073FB30 , 4G073FB42 , 4G073FD24 , 4G073FE04 , 4G073FF04 , 4G073GA03 , 4G073GA11 , 4G073GA12 , 4G073GA13 , 4G073UB19 , 4G073UB25

引用特許：

出願人引用 (5件)

特公平1-51455号公報
特公平5-9133号公報
特許第2590428号明細書

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